全球NAND型Flash產業正緊鑼密鼓進入50奈米制程大戰，三星電子（Samsung Electronics）50奈米制程及東芝（Toshiba）56奈米制程即將邁入量產階段，英特爾（Intel）亦不遑多讓，50奈米制程緊接著將在第三季跟上進度，這讓三星及東芝近期紛提高備戰作業，并密切打探英特爾動向。臺系記憶體廠表示，英特爾在NAND型Flash領域就像是蟄伏的巨獅，隨時會展現實力，屆時會是三星、東芝的夢魘，而這場NAND型Flash世紀之戰，亦將牽動全球市場版圖。
       三星采50奈米制程所生產16Gb容量NAND型Flash晶片近日即將量產出貨，而東芝原規劃采52奈米制程應戰，然因為制程技術及良率問題無法克服，日前已轉換到56奈米制程，近期亦將量產出貨，更令業界關注的是，英特爾50奈米制程亦正急起直追，盡管推出時程落在第三季，仍落后三星及東芝，但英特爾近來明顯加快腳步，讓三星及東芝相當緊張，整個NAND型Flash產業正進入下一輪競賽。
       記憶體廠指出，英特爾進軍NAND型Flash還不到2年時間，然藍圖規劃可說是滴水不漏，不僅拉攏美光（Micron）合資成立IM Flash，并宣布統一NAND型Flash介面，正式成立ONFI（Open NAND Flash Interface）聯盟，結合海力士（Hynix）、Sony、意法半導體（STMicroelectronics）等重量級業者，足見英特爾對NAND型Flash布局縝密，尤其英特爾從統一NAND型Flash介面著手，直搗產業核心處，目前全球除前2大廠三星和東芝外，幾乎全已納入ONFI陣營，英特爾這招結合次要敵人策略，讓三星和東芝不得不提高警覺。
       值得注意的是，隨著NAND型Flash產業逐步走向成熟化，產業洗牌戰已悄悄展開，在瑞薩（Renesas）和奇夢達（Qimonda）先后宣布退出NAND型Flash產業后，近期產業界熱門話題，便是三星和東芝面對英特爾即將產生的沖擊，積極探聽敵情動態，凸顯英特爾以科技巨人之姿跨足記憶體產業，恐將帶來巨變。
       記憶體業者表示，NAND型Flash之戰比的是制程技術、產品應用和專利（IP），三星和東芝各擁利器，但重要關鍵仍是誰的口袋夠深，亦即誰的資金實力夠雄厚，因為在NAND型Flash產業邁入普及化過程中，必須持續忍受價格劇烈波動，要投入大筆資金來建廠投資，需要前瞻和勇氣，這場NAND型Flash大戰誰會是贏家，業界看法仍紛歧，盡管三星仍處于地位，然英特爾口袋夠深，且仿佛是蟄伏的獅子，靜待成熟時機隨時發動攻勢，這已讓整個產業警戒度直線上升。
       事實上，過去DRAM市場風光時代曾經百家爭鳴，光是日本市場主要玩家就包括東芝、日立、恩益禧（NEC）、富士通、三菱等，各家大廠都曾雄霸一方，然經歷DRAM價格大崩盤洗禮，在赤字虧損加劇情況下，陸續淡出標準型DRAM領域或重新整并，市場版圖亦出現巨變，而這次NAND型Flash市場主要玩家，不少廠商是由DRAM領域科班出身，早已經歷過大風浪，目前??面上競逐NAND型Flash廠商可算是重量級戰將，如今加上英特爾加入戰局，未來NAND型Flash產業廝殺戰將會更劇烈。