封裝業(yè)者矽品精密(SPIL)日前宣布，該公司已采用FOW (Film Over Wire)專(zhuān)利封裝技術(shù)，成功為客戶(hù)量產(chǎn)Flash Card記憶卡。這項(xiàng)FOW封裝技術(shù)可以靈活運(yùn)用在堆疊封裝上，具有降低堆疊封裝高度14%以及縮減寬度14%的優(yōu)勢(shì)，并且能夠保護(hù)晶片及焊線(xiàn)不受到損傷。

       電子產(chǎn)品強(qiáng)調(diào)輕薄短小而且功能強(qiáng)大，使得產(chǎn)品內(nèi)部每項(xiàng)零組件體積必須不斷微縮，以節(jié)省體積及減輕重量，處處挑戰(zhàn)廠(chǎng)商制造能力極限，因此堆疊封裝技術(shù)(Stacked Die Package)就成為縮減體積的解決方案之一，其特點(diǎn)就是能夠在體積限制之下，將更多的晶片封裝在一起。不過(guò)堆疊封裝目前也遭遇到技術(shù)上的瓶頸，因?yàn)樵诙询B層數(shù)持續(xù)增加的情形下，的高度和寬度一定會(huì)超過(guò)封裝體的范圍。

       矽品的FOW專(zhuān)利封裝技術(shù)，號(hào)稱(chēng)突破了體積限制的瓶頸，采用不同于傳統(tǒng)的晶片堆疊方式，可以比一般晶片堆疊封裝高度低14%、寬度縮減14%，能夠節(jié)省多的空間，適合應(yīng)用在高堆疊層數(shù)，以及晶片面積大小相近的產(chǎn)品上，在經(jīng)過(guò)多層堆疊之后，仍然可以達(dá)到CSP (Chip Scale Package)要求。目前可以應(yīng)用的產(chǎn)品為高容量記憶體(DRAM及Flash)堆疊封裝。

       矽品表示，該公司已經(jīng)成功將FOW封裝技術(shù)運(yùn)用在Flash Card記憶卡，量產(chǎn)了堆疊3層NAND Flash Card記憶卡。而2007年矽品更是將充分發(fā)揮FOW技術(shù)，在Flash Card記憶卡嚴(yán)苛的體積條件限制之下，率先研發(fā)出堆疊9層晶片的產(chǎn)品，層數(shù)比以往大幅增加3倍。

       來(lái)源：中國(guó)IC交易網(wǎng)