Spansion與臺積電近日宣布，雙方已簽署一項合作協議，共同開發MirrorBit技術在40nm及更先進的工藝下的衍生技術（Variations）。根據協議，Spansion將利用雙方共同開發的MirrorBit衍生技術來擴展其在新領域的適用性，同時臺積電負責工藝生產的驗證，并計劃實現將Spansion先進的閃存技術投入量產。關于協議的具體條款并未透露。

　　Spansion總裁兼首席執行官Bertrand Cambou表示：“MirrorBit是一項基于邏輯的平臺技術，具有相當大的集成性。臺積電有著卓越的工藝技術開發專長，我們期待與臺積電的合作，共同促進MirrorBit向新領域的邁進。”

　　Spansion和臺積電此前簽署過一份關于110nm和90nm MirrorBit技術的協議。臺積電從2006年第二季度開始以110nm工藝生產Spansion閃存晶圓。預計采用90nm MirrorBit技術的產品將在2007年中旬采用300mm晶圓進行量產。

　　臺積電總裁兼首席執行官蔡力行表示：“Spansion在技術和設計方面的專長奠定了其在閃存行業中的領導地位。與Spansion的合作使我們能提供更多樣的技術，也有助于我們更多地參與快速發展的閃存業務。憑借我們豐富的300mm制造經驗，此次合作會將閃存技術的研發與生產帶入一個全新的里程碑。”