日前，韓國海力士半導體(Hynix)與意法半導體(ST) 在江蘇無錫合資建立的存儲器芯片前端制造廠舉行落成典禮。海力士 ST無錫的晶圓線是目前我國內地的集成電路生產線，其8英寸DRAM 芯片工藝達到80nm，12英寸生產線達到55nm。無錫廠的建成和投產，標志著ST已經在中國擁有完整的集成電路產業鏈，這在國外半導體巨頭中目前還是的。ST總裁兼首席執行官Carlo Bozotti 在接受《中國電子報》記者采訪時指出，中國是ST全球市場中重要的部分，ST在中國的銷售收入已經占全球銷售額的25%。
       半導體市場整合成趨勢
       記者：2006年全球半導體領域波動比較大，多家大公司都在進行拆分與整合，怎樣看待這一現象？ Carlo Bozotti：目前的半導體市場出現了越來越多的整合趨勢，特別是在存儲芯片市場，這一次ST與Hynix的合作就是明顯的證明。為順應目前整合的大趨勢，ST與Hynix在研發、生產等領域上進行全方位的合作。之所以和Hynix在無錫共同建立生產線主要有兩個目的：其一，通過合作生產縮短產品的上市周期；其次，通過合作能夠分攤雙方的研發、生產乃至新基地建設的各種成本。
       目前，全球性的合作已經變得日益緊密。ST不僅和Hynix進行合作，與飛思卡爾同樣也在汽車電子領域展開進一步的合作，ST與飛思卡爾將建設一個聯合研發中心，進行相關產品和應用的開發。
       除了整合趨勢之外，全球半導體領域出現了更多的策略聯盟的趨勢。這樣的策略聯盟不僅是在原先的競爭對手之間，還包括產業鏈的上下游企業之間建立合作伙伴關系。
       持續鞏固兩大領域地位
       記者：ST目前的產品領域覆蓋范圍非常廣，未來是否會進行調整？ Carlo Bozotti：ST未來的目標是在兩個領域成為無可爭議的領導廠商。
       首先是在電源管理和應用領域成為領導廠商。能源管理和應用涉及到眾多市場領域，在照明、工業控制、汽車電子等諸多領域都將發揮重要作用。隨著人們節能意識的不斷提高，對于能源的使用和需求也越來越謹慎，所以電源管理市場將是未來非常重要的領域，ST將在這一領域持續加強投入，成為這一市場的。在電源管理領域的競爭力體現在多種元器件上，這也都是ST的優勢領域。
       第二個領域是多媒體整合市場。在手機、數字音視頻、汽車電子元器件以及數據存儲市場等，ST都保持著地位。目前，ST在多媒體整合市場有了更進一步的優勢，即ST的整體解決方案供應。通過ST 的芯片產品與軟件相結合，再加上相應的應用，可為客戶提供豐富的產品和解決方案。ST通過搭建不同平臺，如高清電視、數碼應用產品以及手機等多種研發平臺為客戶提供更好的產品開發環境，這些不同的平臺是ST在多媒體整合市場保持優勢的關鍵。
       從2005年開始，ST已經開始展開業務部門的整合工作，將無線業務部門與消費類產品部門進行了整合，因為在很多研發方向上兩個部門都有相似之處，而且可以將多種數碼產品應用于無線業務進行緊密結合，形成更多的產品解決方案，并能縮短產品上市周期。
       目前，ST每年的研發投入約為全年銷售收入的17%，這17%中約1/ 3用于技術研發，2/3用于產品開發。未來，隨著銷售收入的不斷增加，研發投入的比重可能會略有減少，但大體金額不會變化，多數的研發投入將集中在產品、平臺和解決方案的研發上，對于半導體技術的研發投入會有所下降。
       記者：在閃存市場中NOR和NAND兩大市場融合的趨勢越來越明顯， ST如何看待這一市場？怎樣將NOR市場的優勢延續到NAND市場中？ Carlo Bozotti：在無線產品領域中，出現了將多個芯片封裝到一個封裝中的趨勢。ST在這一市場也具有非常強的實力，已經可以將NOR、 NAND和低功耗存儲芯片封裝在一個芯片內，ST可以提供這樣的解決方案，在手機領域中具有很強的競爭力。
       手機、數碼相機以及隨身聽等便攜設備對存儲容量的需求越來越高，在這種發展趨勢的拉動下，2005年NAND閃存市場的增長速度達到半導體市場有史以來的水平，無錫12英寸晶圓生產線從60nm SLC (單級單元)和MLC(多級單元)NAND技術快速向55nm以下節點過渡，將有助于我們滿足手機及數字消費市場用戶對高性能和成本低廉的存儲器解決方案的需求。
       無錫廠量產在推進
       記者：無錫晶圓廠ST與海力士雙方的合作方式、資金來源以及產品規劃？ Carlo Bozotti：這個合資廠的總投資額為20億美元，意法半導體與海力士半導體的股份比例是1/3∶2/3，中國本地金融機構和意法半導體還為合資公司提供了聯貸計劃。
       兩家公司于2005年4月為新工廠舉行了奠基儀式，8英寸和12英寸生產線分別于2006年7月和10月開始量產。目前DRAM芯片采用80nm、 90nm和110nm制造工藝，90nm和110nm晶圓在8英寸生產線上生產， 80nm晶圓在12英寸生產線上生產。明年年中，兩條生產線除生產現有的DRAM外，還將開始生產工藝先進的NAND閃存。在產能方面，8英寸生產線預計月產晶圓5萬片，12英寸生產線的月產量將達到1.8萬片晶圓。雙方將根據市場情況分配產品和存儲器密度。
       這個技術先進的無錫新工廠將負責制造NAND閃存和DRAM存儲器芯片。合資雙方將在制造工藝和產品開發上實現優勢互補，將獲得規模經濟帶來的巨大的經濟效益。
       而獲得具有成本競爭力的DRAM產品，同時合作開發NAND產品，將進一步加強ST在封裝級集成電路市場的地位。這項重要技術是在同一個封裝內疊裝多個存儲器芯片，中國乃至全世界的用戶利用這項技術可以提高存儲器密度和設備可靠性，同時還能節省手機等消費電子產品以及工業應用的電路板空間。
       無錫晶圓制造廠將加快意法半導體在NAND閃存市場的前進步伐，同時還將為嵌入式系統廠商提供能夠與閃存疊裝在一起的高性能的、具有成本競爭力的DRAM芯片。新工廠將有助于擴大ST的12英寸生產線的產能，加強其在中國半導體市場上的地位。
       記者：ST和Hynix在中國的合作對于ST在亞洲的布局有何重要意義？您如何看待中國半導體市場？ Carlo Bozotti：ST與Hynix的合作并不僅僅是針對亞洲市場。這次的合作主要是研發和生產嵌入式內存解決方案的產品，如果要提供更優質的嵌入式內存解決方案就必須將NOR、NAND和低功耗存儲器整合在一起。而在無錫設立生產基地主要有兩方面優勢：首先是成本上的優勢；其次是通過在無錫設立生產基地也是在向市場傳遞兩家公司對于中國本地市場非常看重這樣一個信息。
       目前，ST在中國主要有三個投資區域：首先是在深圳和深圳電子集團合作設立研發中心以及投資建設后工序封裝生產線；其次是在上海設立的研發、銷售和市場部門，約400名員工，主要負責產品開發以及銷售工作，并將在上海成立中國總部基地；第三個區域就是在無錫設立的合資企業，如果后續市場非常龐大，ST將會進一步加強生產線的生產能力。
       ST在中國的銷售收入已經占全球銷售總數的25%約25億美元左右，對于ST而言，中國市場是非常重要的。
       記者：選擇無錫具有哪些優勢？無錫工廠生產的產品是否會與深圳后工序進行互動？ Carlo Bozotti：合資廠址的選擇主要是由Hynix決定的，在合資廠中，Hynix持有2/3的股份，而ST則是1/3的股份。
       選擇任何一個地區作為生產基地是要符合幾個條件：首先是要考慮當地是否具有設計建設大型工業設施的能力，目前在無錫工廠中有數百名韓國工程師在進行工廠方面的設計建設，這對短期內將整個工廠快速、優質地建設完成具有決定作用；第二個考慮因素是成本結構，在選擇無錫建廠之前，合資雙方將在無錫建設工廠和在韓國多個地區建設工廠進行綜合對比，得出結論是在無錫建設生產工廠的成本優勢是非常明顯的；第三個考慮因素是當地政府對這一產業的支持力度，在這一方面無錫市政府以及整個江蘇省政府對ST和Hynix合資建設的生產工廠都提供了強有力的支持。基于這幾個方面的考慮，選擇無錫作為ST和Hynix合資共同建設的生產基地是非常明智的。
       無錫廠作為前工序半導體晶圓生產環節是可以與深圳后工序封裝廠進行合作的，事實上目前已經在進行這樣的互動，已經有無錫工廠的生產產品運送到深圳進行封裝加工，未來將會逐步增加這樣的互動頻率，將更多無錫生產的產品送至深圳進行晶圓測試封裝。但是，ST 在亞洲不僅僅有深圳一家封裝工廠，在亞洲的封裝中心是在馬來西亞，短期內ST沒有計劃將封裝基地中心進行轉移。無錫以及全球生產線生產出的晶圓產品將進行協調配送，后工序的加工中心依然會是在馬來西亞，但未來中國深圳的工廠生產比重和生產能力將逐步增加。