日前，富士通公司的第二座300毫米晶圓廠已經開始運營，該工廠將制造65納米芯片，2007年7月開始進入量產。

       不過由于客戶需求低于預期，新工廠的月產能將從初的10,000片晶圓，大幅調低到2,000至3,000之間。

       富士通集團副總裁兼電子器件業務部總裁Shigeru Fujii 表示，“我們的產能可以進行靈活擴充，如果客戶需求增加，我們將準備好擴充產能以滿足需求。”據悉，第二座晶圓廠的月產能可以擴充至25,000片晶圓。

       富士通一直試圖在晶圓代工領域取得成功，已經獲得了超過30名客戶。他們中包括日本的IDM和輕晶圓廠半導體公司，以及北美和亞洲的無晶圓廠半導體公司。

       新工廠的生產能力包括混合信號、嵌入式內存(閃存和1T-SRAM)和高速I/O處理器，工藝精度可以達到65納米節點。另外，還包括采用90納米的RF CMOS工藝過程，65納米版本正在開發中。

       為了快速提供原型，富士通與Advantest在2006年11月建立了一家合資企業，為客戶提供Advantest電波光刻系統設計原型服務，無需使用昂貴的掩膜工藝。

       現在，ASIC和代工服務占富士通半導體銷售額的大約60%，基于130納米和較陳舊工藝的微處理器和模擬器件業務占大約35%。

       富士通表示，該公司在數碼相機和錄像機H.264編碼器ASSP市場占有份額。

       盡管代工業務擴張，但富士通2006財年半導體銷售業務預計為39億美元，比原先預測的43億美元下滑10%。

       富士通座300毫米晶圓廠目前月產能為15,000片，使用90納米過程工藝，為公司的半導體業務貢獻了主要利潤。

       (來源：國際電子商情)