韓國三星電子日前宣布開發出一種容量為2GB的晶圓級“立體封裝”內存芯片，這是業界首枚使用硅穿透工藝實現晶圓級堆疊封裝的內存產品，實現了芯片電路的直接互聯。
       新產品由4片容量為512Mb的DDR2芯片堆疊連接，并封裝成容量為2GB的內存顆粒。在生產過程中使用了硅貫通電極(TSV）以及晶圓級堆疊封裝（WSP）工藝。新的工藝可大大縮小芯片產品的封裝尺寸，使速度、功耗等指標明顯提高。
       三星電子在生產中使用激光器在內存芯片需要布置連接線的位置垂直打孔，獲得穿透芯片基板的硅孔，之后采用金屬銅通過硅孔連接上下層硅芯片。新產品克服了工程技術反面的許多挑戰，其中包括晶圓的減薄和超薄晶圓加工、硅穿透、銅連接的可靠性等。同目前廣泛采用的多芯片堆疊封裝技術相比，新工藝摒棄了傳統的引線連接，能夠提供更薄和更小的封裝尺寸及每條連接線更低的分布點容。
       三星電子預測這一技術將在半導體產業引發一輪革命。不久前該公司高層在一次主題講演中強調，晶圓級立體堆疊技術的進步將為半導體工業帶來新的能力，使得不同IC器件和半導體材料的高密度集成成為可能，推動半導體融合時代的到來。
       三星電子沒有解釋更多技術細節。雖然芯片立體封裝的概念提出較早，但是其技術進展一直受到了成品率和成本等問題的困擾。多數技術方案在集成電路工藝結束之后才開始進行芯片之間的連接，另一種更有發展思路是在晶圓的前道和后道工藝之間進行堆疊，以追求效率。不過，同三星電子不同，目前的技術方案大多采用刻蝕技術獲得硅孔。