力晶（5346）目前雖還并不是全球DRAM廠，不過(guò)以其追趕國(guó)際DRAM大廠速度來(lái)看，不難發(fā)現(xiàn)力晶過(guò)去不斷宣示其在DRAM市場(chǎng)決心與努力，于日前董事長(zhǎng)黃崇仁宣布力晶要成為全方位的記憶體供應(yīng)商后，再度復(fù)制過(guò)去DRAM成功模式，希望能夠在NAND型快閃記憶體（Flash）市場(chǎng)中占有一席之地。
       數(shù)10年前，力晶剛進(jìn)入標(biāo)準(zhǔn)型DRAM市場(chǎng)所采用的策略便是先由技術(shù)授權(quán)開(kāi)始，從日立（Hitachi）技術(shù)授權(quán)后，便展開(kāi)其DRAM輝煌之旅，雖后來(lái)日立與另一大廠共同成立爾必達(dá)（Elpida），力晶依然遵循過(guò)去技術(shù)授權(quán)模式，持續(xù)深耕DRAM產(chǎn)業(yè)，期間外界不斷質(zhì)疑力晶僅靠技術(shù)授權(quán)恐難立足，不過(guò)對(duì)于力晶來(lái)說(shuō)，仍不顧旁人眼光持續(xù)堅(jiān)持下去，目前已成為臺(tái)灣DRAM廠，且依照未來(lái)計(jì)畫(huà)，力晶將會(huì)在6年內(nèi)再興建4座12寸晶圓廠，完全可看出力晶是全力以赴，不是說(shuō)說(shuō)而已。
       在其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手陸續(xù)宣布踏入NAND型Flash市場(chǎng)后，對(duì)于日前對(duì)外宣示要做1家全方位記憶體供應(yīng)商的力晶來(lái)說(shuō)，自然不會(huì)在這一產(chǎn)業(yè)中缺席，也因此除了自立自強(qiáng)成立NAND型Flash的IC設(shè)計(jì)公司外，另一方面，重新復(fù)制過(guò)去在標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)業(yè)所創(chuàng)立下來(lái)成功營(yíng)運(yùn)模式，希望能加快在NAND型Flash市場(chǎng)成功速度。
       這就是為何力晶要先行自瑞薩（Renesas）技術(shù)授權(quán)，取得瑞薩1Gb產(chǎn)品技術(shù)授權(quán)及行銷專利，希望能藉由這樣動(dòng)作，當(dāng)做力晶踏入NAND型Flash市場(chǎng)踏腳石，這好比當(dāng)初力晶自日立取得DRAM制程技術(shù)一樣，接下來(lái)為能進(jìn)一步站穩(wěn)NAND型Flash市場(chǎng)腳步，力晶更進(jìn)一步與瑞薩簽訂4Gb授權(quán)及行銷專利，即便部份人士質(zhì)疑力晶目前僅拿到瑞薩4Gb產(chǎn)品授權(quán)，而目前競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手均已將規(guī)格拉高至16Gb、甚至32Gb，力晶4Gb產(chǎn)品如何與其他人一較高低。
       這就好比當(dāng)初力晶剛跨入標(biāo)準(zhǔn)型DRAM市場(chǎng)一樣，多數(shù)人不看好采用日本廠商技術(shù)，原因在于日廠所制造出來(lái)的東西可能太貴，無(wú)法與其他廠商競(jìng)爭(zhēng)，但經(jīng)過(guò)力晶近幾年來(lái)的努力，終于做出產(chǎn)品好且又兼具成本優(yōu)勢(shì)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM，如今看來(lái)，力晶在NAND型Flash領(lǐng)域也將如此，雖外界認(rèn)為瑞薩自身都已暫時(shí)不做AG-AND型Flash，接手的力晶勢(shì)必也難有做為，不過(guò)依照過(guò)去歷史經(jīng)驗(yàn)來(lái)看，到力晶要在Flash市場(chǎng)闖出一片天仍是有機(jī)會(huì)的。