力晶與瑞薩延伸快閃記憶體合作，進(jìn)軍高容量、主流規(guī)格的快閃記憶體領(lǐng)域，未來與本業(yè)DRAM結(jié)合，將使力晶在記憶體領(lǐng)域的地位更加鞏固。 
      目前全球大型DRAM廠中，引進(jìn)DRAM與快閃記憶體兩大業(yè)務(wù)已是趨勢，一來兩者制程能相互轉(zhuǎn)換，可減少DRAM景氣起伏劇烈的產(chǎn)業(yè)特性影響；二來在消費(fèi)性產(chǎn)品搭載快閃記憶體應(yīng)用日廣，龐大商機(jī)更讓業(yè)者躍躍欲試。
      臺灣DRAM廠中，除了力晶，包括南科、茂德等都磨刀霍霍，有意投入快閃記憶體領(lǐng)域。但南科規(guī)劃是在DRAM全球市占率達(dá)10%后，快2008年才打算切入；茂德則規(guī)劃明年初試產(chǎn)，2008年量產(chǎn)。
      力晶加入主流規(guī)格快閃記憶體制造，結(jié)合既有DRAM優(yōu)勢，加上積極布局太陽能光電領(lǐng)域，集團(tuán)爆發(fā)力蓄勢待發(fā)。對于力晶董事長黃崇仁許下年營收1,000億元的目標(biāo)，又邁進(jìn)一步。
      業(yè)內(nèi)人士分析，力晶發(fā)展快閃記憶體領(lǐng)域，是循著DRAM模式發(fā)展，由國外業(yè)者提供技術(shù)、力晶出產(chǎn)能。由于模式類似，可大幅縮短進(jìn)入的時間。由于力晶向來以成本控制優(yōu)勢取勝，加入主流規(guī)格快閃記憶體市場后，將對同業(yè)造成相當(dāng)壓力，使快閃記憶體市場競爭更加激烈。