繼日前正式取得瑞薩（Renesas）授權1Gb技術轉移及行銷權后，力晶1日宣布正式取得瑞薩4Gb產品技術移轉及行銷權利，力晶發言人譚仲民表示，為此力晶決定加速日前自旺宏所購買的12M廠投資，將2006年資本支出二度調高，由早的新臺幣300億元一路增加至700億元，此資本支出已直逼晶圓代工龍頭臺積電。
       看準未來全球NAND型快閃記憶體（Flash）晶片組市場成長潛力，同時為能做到真正成為全方位記憶體供應商，力晶對于投入NAND型Flash市場一直不遺余力，除了自行成立Flash的IC設計公司外，對于瑞薩AG-AND型Flash技術也同時并進，日前除了與瑞薩已簽訂1Gb的AG-AND型Flash授權外，1日更與瑞薩進一步簽訂4Gb的AG-AND型Flash授權。
       力晶過去雖已與瑞薩簽屬1Gb產品技術授權制造及銷售，但現階段幾家大廠均已將制造主流規格不斷提升，無論是三星電子（Samsung Electronics）、東芝（Toshiba）等大廠均已量產至16Gb甚至更高容量，對于力晶而言，也深刻體認到1Gb已非主流規格商品，必須直接跳入到4Gb產品才有機會與其他競爭對手一爭高低，而這樣的美夢終于正式拍板定案。
       譚仲民表示，力晶為了進一步能夠符合對于Flash產能需求，因此決定加碼投資12M廠機器設備，將2006年資本支出由600億元再增加至700億元，而這也是2006年以來，力晶資本支出首度由原先300億元上調至600億元后，如今二度調高。據了解，原本力晶僅規劃12M廠月產能至年底前約達1萬片，不過，現在由于力晶已導入4Gb的AG-AND技術后，將在快時間內導入量產，預估快下半年起，便能開始挹注營收。
       由于新產品對產能需求迫切，董事長黃崇仁也不只一次表示產能嚴重不足，因此力晶決定加快12M廠導入量產腳步，預估第三季起12M廠同步開始投片，年底月產能將倍增至2萬片以上，且預計未來12M廠將全力專攻AG-AND型Flash。
       譚仲民表示，現階段看來，由于12M廠產能規劃超過原預期目標，資本支出由600億元調高至700億元，力晶2006年將規劃藉由發行海外可轉換公司債（ECB）、海外存?憑證（GDR）以及銀行聯貸等3種方式籌資，其中將會以銀行聯貸先辦，時間點約落在下半年，不過金額尚未決定。
       譚仲民進一步表示，力晶已將所有標準型DRAM轉至12寸廠生產，目前90奈米制程轉換狀況相當不錯，平均良率已超過85％，且目前已有超過70％投片量都采90奈米制程，產出部份也有超過5成采用是90奈米制程，目前力晶在DDRII產能大約占40～50％，加上到第三季底力晶12寸廠超過70％產出全采90奈米制程，將使得每單位晶圓面積可增加40％產出，市場人士認為，到第三季力晶DRAM制造成本將會比年初降低20％，如平均售價不變的話，力晶毛利率至少會再增加2成。