閃存(Flash Memory)由于其具有非易失性、電可擦除性、可重復編程以及高密度、低功耗等特點，被廣泛地應用于手機、MP3、數碼相機、筆記本電腦等數據存儲設備中。NAND Flash和NOR Flash是目前市場上兩種主要的非易失閃存芯片。與NOR Flash相比，NAND Flash在容量、功耗、使用壽命等方面的優勢使其成為高數據存儲密度的理想解決方案。NOR Flash的傳輸效率很高，但寫入和擦除速度較低；而NAND Flash以容量大、寫速度快、芯片面積小、單元密度高、擦除速度快、成本低等特點，在非易失性類存儲設備中顯現出強勁的市場競爭力。
結構：NOR Flash為并行，NAND Flash為串行。
總線：NOR Flash為分離的地址線和數據線，而NANDFlash為復用的。
尺寸：典型的NAND Flash尺寸為NOR Flash尺寸的1／8。
壞塊：NAND器件中的壞塊是隨機分布的，需要對介質進行初始化掃描以發現壞塊，并將壞塊標記為不可用。
位交換：NAND Flash中發生的次數要比NOR Flash多，建議使用NAND閃存時，同時使用EDC／ECC算法。
使用方法：NOR Flash是可在芯片內執行(XIP，eXecute In Place)，應用程序可以直接在FIash閃存內運行，不必再把代碼讀到系統RAM中；而NAND Flash則需I／O接口，因此使用時需要寫入驅動程序。
通過以上的分析和比較，NAND Flash更適合于大容量數據存儲的嵌入式系統。本設計選用Samsung公司生產的NAND Flash存儲器芯片K9F1208作為存儲介質，并應用在基于uPSD3234A增強型8051單片機的嵌入式系統中。
2 uPSD3234A簡介
uPSD3234A是由意法半導體公司生產的一款基于8052內核的增強型Flash單片機，其結構如圖1所示。該單片機包含1個帶8032微控制器的Flash PSD、2塊Flash存儲器、SRAM、通用I／O口可編程邏輯、管理監控功能，并可實現USB、I2C、ADC、DAC和PWM功能。其中，片內8032微控制器，帶有2個標準異步通信口、3個16位定時／計數器、1個外部中斷以及JTAG ISP接口(用于在系統編程)，一般應用于手持設備、家用電器等領域中。
K9F1208是Samsung公司生產的512 Mb(64M×8位)NAND Flash存儲器。該存儲器的工作電壓為2.7～3.6 V，內部存儲結構為528字節×32頁×4 096塊，頁大小為528字節，塊大小為(16 KB+512字節)；可實現程序自動擦寫、頁程序、塊擦除、智能的讀／寫和擦除操作，一次可以讀／寫或者擦除4頁或者塊的內容，內部有命令寄存器。如圖2所示，該器件按功能可以劃分為：存儲陣列、輸入／輸出緩沖、命令寄存器、地址譯碼寄存器和控制邏輯產生。其中，命令寄存器用來確定外部設備對存儲器進行操作的類型；地址譯碼寄存器用于保存被訪問的地址并產生相應的譯碼選通信號。主設備通過8位I／O端口分時復用訪問器件命令、地址和數據寄存器，完成對芯片內存儲器的訪問。
對于K9F1208的操作主要有頁讀取和頁編程操作。圖3是NAND Flash的標準頁讀取時序圖。具體的頁讀取操作如下：發命令階段，在片選信號CE有效的情況下，首先命令允許信號CLE有效，此時寫入信號WE有效，芯片準備好信號R／B置高，表示準備好；同時向I／O口發送讀操作命令(0x00或0x01)，表示是讀操作。發地址階段，此時片選有效，地址允許信號ALE有效，寫入信號WE保持有效，連續發送4個地址字；K9F1208的地址寄存器接收到地址值后，R／B信號將維持“忙”一段時間，此后R／B變為準備好狀態。是數據輸出階段，每次讀有效信號置低有效時，將會輸出一組數據。如此往復直到所有數據輸出完畢。
5.1 硬件部分
uPSD3234A的數據總線DATA0～7直接連接到K9F1208的數據線上。K9F1208的讀／寫信號是直接通過uPSD3234A的讀／寫信號驅動的，K9F1208的ALE地址允許信號、CLE命令允許信號、片選使能信號分別由uPSD3234A的P43、P44、P45來控制，而K9F1208的R／B狀態輸出信號由uPSD3234A的P46來讀取。硬件連接如圖5所示。根據該硬件連接的情況，在驅動過程中，可以在uPSD3234A中定義一個無效地址，通過對該無效地址進行讀寫來控制WR和RD信號。
本設計的驅動程序包括基本的操作函數和Flash操作API函數。基本的操作函數包括輸入命令值、輸入地址值、輸入數據值、讀取數據值和讀取狀態等函數。由于K9F1208是無地址的，故先定義一個外部存儲器的空地址來對它進行空寫和空讀。定義的語句為：
xdata unsigned char rK9Fl208DATA _at_0x5000000；
根據硬件連接圖，基本API函數的程序為：
程序說明：賦予P4_5為0，使得CE信號成低電平，從而片選K9F1208有效；賦予P4_4為1，使得CLE信號成高電平，從而使K9F1208的命令允許信號有效；賦予P4_3為0，使得ALE信號成低電平，從而使K9F1208的地址允許信號無效；對rK9F1208DATA進行空寫命令字，使得WE信號成低電平，K9F1208的命令寄存器從數據總線接收到命令字，并執行相應的操作。
(2) 輸入地址值函數
(3) 輸入數據值函數
(4) 讀取數據值函數
(5) 讀取狀態函數
為了合理地操作K9F1208，還添加了不選中K9F1208的函數，以便在頁讀取和頁編程操作后，使K9F1208不工作。程序只是讓P4_5、P4_4、P4_3為低電平，從而使得K9F1208的片選信號、命令允許信號、地址允許信號無效。宏定義語句如下：
#define flash_inactive( ){P4_5=0；P4_4=0；P4_3=0；)
Flash操作API函數包括復位K9F1208、驗證K9F1208的ID號、擦除K9F1208某一扇區、湊取K9F1208某一扇區數據和寫入K9F1208某一扇區數據等函數。因為篇幅關系，只介紹頁讀取和頁編程函數。
結 語
本文介紹了Samsung公司K9F1208芯片特點，并在此基礎上設計了基于uPSD3234A的驅動設計。該方法對其他相關SoC中實現NAND Flash的控制方法設計有直接的參考意義，可廣泛應用于需要大存儲容量的低端設備中。