面臨摩爾定律進(jìn)入22奈米制程，浸潤式顯影曝光技術(shù)已達(dá)極限。臺積電公開表示，不論浸潤式顯影導(dǎo)入雙重曝光或深紫外光(EUV)技術(shù)，未來頂多只能再維持1~2個制程世代，多重電子束(Multiple E-beam Direct Write)將是不可或缺解決方案，且能徹底解決光罩問題，這是臺積電技術(shù)論壇公開點出E-Beam未來性將比EUV強。臺積電研發(fā)副總孫元成表示，臺積電共計200多人研發(fā)團(tuán)隊正全力沖刺32奈米制程世代，預(yù)計2009年第3季推出，同時22奈米制程也正進(jìn)行前瞻研究。
       浸潤式顯影雙重曝光已被半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者視為延續(xù)193i生命的重要過度性技術(shù)，接下來進(jìn)入22奈米制程，深紫外光則是目前??面上設(shè)備商力拱的解決方案。不過，由于EUV的光源電能等問題讓其生產(chǎn)力很難提升至每小時100片晶圓，包括先前的支持者英特爾(Intel)近期也對EUV效能表達(dá)憂心。臺積電在31日年度技術(shù)論壇中，更明白投下E-Beam一票，認(rèn)為EUV頂多只能撐1~2個世代，未來需要更強大的替代方案。
       孫元成表示，EUV生產(chǎn)力要提升至每小時100片晶圓才能達(dá)到生產(chǎn)效益，但難度太高，即使EUV開發(fā)成功也只能再將摩爾定律延續(xù)1~2個世代。他認(rèn)為，45奈米制程之后E-Beam解決方案是不可或缺的。孫元成分析，E-beam雖然處于起步的階段，但1小時生產(chǎn)力已可達(dá)30片晶圓，能透過多重寫入電子束方式解決生產(chǎn)效率問題，且根本不需光罩。目前臺積電正與設(shè)備商共同研發(fā)中。這是臺積電在EUV及E-Beam之間，公開表態(tài)選邊站。
       孫元成表示，過去5~6年間臺積電在45奈米制程浸潤式顯影與設(shè)備業(yè)者合作奠定了許多技術(shù)基礎(chǔ)，共計擁有25項專利，研發(fā)部門有200多人全力投注32奈米制程開發(fā)，同時進(jìn)行22奈米制程前瞻研究。根據(jù)臺積電技術(shù)藍(lán)圖，32奈米制程世代快2009年第4季推出。而臺積電2007年9月45奈米制程技術(shù)便進(jìn)入量產(chǎn)，同時規(guī)劃45奈米GS制程于2008年5月試產(chǎn)，并擬推出半世代40奈米制程技術(shù)。
       孫元成說，過去臺積電90奈米制程完整光譜約歷時2年，到了65奈米制程世代，縮短為1~1.5年，45奈米制程卻在短短半年內(nèi)便相繼推出嵌入式記憶體(embeded memory)及射頻制程(RF)等制程方案，臺積電制程速度及效率愈走愈快。孫元成舉65奈米制程為例，已推出針對手機單晶片市場的65奈米低功耗RF制程，以及針對繪圖晶片市場的65奈米低功耗eDRAM制程，其半世代55奈米制程良率也與65奈米制程不相上下。