面臨摩爾定律進入22奈米制程，浸潤式顯影曝光技術已達極限。臺積電公開表示，不論浸潤式顯影導入雙重曝光或深紫外光(EUV)技術，未來頂多只能再維持1~2個制程世代，多重電子束(Multiple E-beam Direct Write)將是不可或缺解決方案，且能徹底解決光罩問題，這是臺積電技術論壇公開點出E-Beam未來性將比EUV強。臺積電研發副總孫元成表示，臺積電共計200多人研發團隊正全力沖刺32奈米制程世代，預計2009年第3季推出，同時22奈米制程也正進行前瞻研究。
       浸潤式顯影雙重曝光已被半導體設備業者視為延續193i生命的重要過度性技術，接下來進入22奈米制程，深紫外光則是目前??面上設備商力拱的解決方案。不過，由于EUV的光源電能等問題讓其生產力很難提升至每小時100片晶圓，包括先前的支持者英特爾(Intel)近期也對EUV效能表達憂心。臺積電在31日年度技術論壇中，更明白投下E-Beam一票，認為EUV頂多只能撐1~2個世代，未來需要更強大的替代方案。
       孫元成表示，EUV生產力要提升至每小時100片晶圓才能達到生產效益，但難度太高，即使EUV開發成功也只能再將摩爾定律延續1~2個世代。他認為，45奈米制程之后E-Beam解決方案是不可或缺的。孫元成分析，E-beam雖然處于起步的階段，但1小時生產力已可達30片晶圓，能透過多重寫入電子束方式解決生產效率問題，且根本不需光罩。目前臺積電正與設備商共同研發中。這是臺積電在EUV及E-Beam之間，公開表態選邊站。
       孫元成表示，過去5~6年間臺積電在45奈米制程浸潤式顯影與設備業者合作奠定了許多技術基礎，共計擁有25項專利，研發部門有200多人全力投注32奈米制程開發，同時進行22奈米制程前瞻研究。根據臺積電技術藍圖，32奈米制程世代快2009年第4季推出。而臺積電2007年9月45奈米制程技術便進入量產，同時規劃45奈米GS制程于2008年5月試產，并擬推出半世代40奈米制程技術。
       孫元成說，過去臺積電90奈米制程完整光譜約歷時2年，到了65奈米制程世代，縮短為1~1.5年，45奈米制程卻在短短半年內便相繼推出嵌入式記憶體(embeded memory)及射頻制程(RF)等制程方案，臺積電制程速度及效率愈走愈快。孫元成舉65奈米制程為例，已推出針對手機單晶片市場的65奈米低功耗RF制程，以及針對繪圖晶片市場的65奈米低功耗eDRAM制程，其半世代55奈米制程良率也與65奈米制程不相上下。