IBM日前宣布了一項芯片設計領域重大的突破—“Airgap”，這一技術是IBM實驗室十年芯片創(chuàng)新歷史中一個具有歷史意義的突破。憑借新的材料和設計架構，IBM實驗室不斷地制造出尺寸更小、功能更強、能效更高的芯片，這些創(chuàng)新成果對IT業(yè)界產生重要影響。IBM具有開創(chuàng)性的工作開始于1997年在整個行業(yè)中采用銅線取代鋁線進行布線，這一創(chuàng)新使電流阻抗立即下降了35%，同時芯片性能提高了15%。
      
       從此，IBM的科學家們一直沿著摩爾定律的軌道持續(xù)不斷地推動性能的提升。以下是IBM實驗室過去十年間的幾十項創(chuàng)新中抽取的十大芯片突破成果：

       1.銅芯片（Copper），1997年9月——出于很多技術原因，大多數(shù)人認為在芯片中取代鋁線布線基本不可能。但IBM的工作小組克服了這些技術問題，很快地將銅線投入到生產中，其結果使芯片性能立刻得到提高。現(xiàn)在，IBM的開創(chuàng)性技術仍然是行業(yè)的標準。
      
       2.絕緣硅（SOI），1998年8月——絕緣硅（Silicon on Insulator）技術通過在現(xiàn)代芯片上絕緣隔離數(shù)以百萬計的晶體管，從而實現(xiàn)了功耗的降低和性能的提高。在IBM開發(fā)出這項技術前，半導體行業(yè)對絕緣硅技術的研究已經(jīng)進行了15年。
      
       3.應變硅（Strained Silicon），2001年6月——該項技術可以拉伸芯片內的材料，降低阻抗和加快電子流過晶體管的速度，從而提高性能和降低功耗。
      
       4.雙內核微處理器（Dual-Core Microprocessors），2001年10月——全球個雙內核微處理器POWER4作為Regatta的一部分發(fā)布，Regatta是一款System p服務器，是當時世界上功能強大的服務器。自此兩年多以后——對于技術行業(yè)這是一個漫長的時間，我們的個競爭對手才將雙內核芯片投放市場。
      
       5.浸沒式光刻（Immersion Lithography ），2004年12月——IBM宣布在全球采用這項新的制造技術，即可以使芯片尺寸可以做得更小的技術，來生產商用微處理器。
      
       6.冷凍硅鍺芯片（Frozen SiGe Chip），2006年6月——上世紀90年代，IBM采用硅鍺（SiGe）取代了更加昂貴和不穩(wěn)定的材料，制造出了尺寸更小、速度更快和成本更低的芯片，這使IBM開始向經(jīng)營無線產品，如移動電話和路由器的公司銷售芯片。去年，IBM通過與NASA提供支持的Georgia科技公司合作，又突破了硅鍺技術的限制，向全球展示了款能夠在500GHz頻率以上工作的硅基芯片——通過將芯片冷凍到接近零度來實現(xiàn)。
      
       7.高電介質（High-k），2007年1月——IBM宣布推出一種解決方案來解決業(yè)界頭痛的問題之一，即晶體管電流泄漏問題。通過采用新的材料，IBM將制造出具有“高電介質金屬門（High-k metal gates）”的芯片，從而使產品的性能更好、尺寸更小、能源效率更高。
      
       8.嵌入式動態(tài)隨機訪問存儲器（eDRAM），2007年2月——通過在微處理器芯片上采用創(chuàng)新的新型快速動態(tài)隨機訪問存儲器（DRAM）取代靜態(tài)存儲器（SRAM），IBM能夠實現(xiàn)三倍以上容量的嵌入式內存，并使性能得到極大提高。
      
       9.三維芯片堆疊（3-D Chip Stacking），2007年4月——IBM宣布采用“穿透硅通道（through-silicon vias）”技術制造三維芯片，穿透硅通道使半導體可以垂直疊放，而原來只能接近水平依次排放，這樣就可以將關鍵線路路徑的長度縮短達1000倍。
      
       10.Airgap，2007年5月——使用“自組裝”納米技術，IBM在Power架構的微處理器內數(shù)英里長的線路之間創(chuàng)造出一種真空狀態(tài)，這樣就減少了不必要的電容，提高了性能和能源效率。