臺灣DRAM制程即將于下半年正式推升至70奈米，70奈米平均可較90奈米增加五至六成的晶圓產出，平均生產成本可有效降低三成以上，國內DRAM廠目前以茂德（5387）進度快，預計6月量產，力晶（5346）預計第二季末投產，華亞科（2474）、南科（2408）進度稍為落后，快恐須第四季才有機會量產。
       相較于南韓三星、海力士（Hynix）及日本爾必達（Elpida）等國際級DRAM大廠，國內廠商切入70奈米速度明顯落后。
       以三星為例，70奈米早在去年就成為標準制程，上個月三星才宣布即將量產業界顆使用60奈米制程技術的1GB DDRⅡDRAM，60奈米可較80奈米制程提高40%的生產效率，與90奈米制程相較，效率更是高出二倍。
       爾必達在去年12月下旬開始量產70奈米制程，目前單月投片量已達1萬片，其中512Mb產品，良率已與90奈米制程相當，1Gb的產品目前良率則略低于90奈米，預計今年底前，爾必達70奈米比重將達85%。
       爾必達70奈米制程在512Mb產品的耗電上，可減少50%，1Gb 產品可減少30%，70奈米制程可較90奈米增加60%的晶圓產出，整體生產成本可降低三至四成，相當具生產效益。
       茂德70奈米制程目前是臺灣DRAM廠中進度快，3月已在中科三廠投片7,000、8,000片，4月將倍增至1.5萬片以上，70奈米目前平均良率已達85%以上，預計第二季末大量產出，今年底前，茂德將有超過九成產能將轉為70奈米生產。
       力晶、瑞晶的70奈米制程都由爾必達進行技轉，其中力晶將于第二季開始逐漸量產70奈米制程產品，預計今年底前70奈米制程比重可達六成。力晶4日股價下跌0.05、收20.05元。
       瑞晶首座12寸廠已進入架設機器階段，預計第三季即可以70奈米制程技術正式量產，年底達到月產3萬片的目標應該不是問題。另外，今年8月二廠也會開始動土。
       華亞科近才導入由于南科、奇夢達共同研發的70／75 奈米溝槽式制程，華亞科的說法，快也要等到第四季即可量產，現階段仍以90奈米為標準制程。華亞科4日股價上漲0.35元、收38.15元。
       南科則計劃在本身的12寸廠開始導入70奈米制程，南科本身的12寸廠將于5月開始進行裝機，預計11月開始產出，該座12寸廠月產能設計達6.2萬片，初期仍將先以90 奈米導入量產，再逐漸導入70奈米制程。南科4日股價上漲0.1元、收28.1元。