有效測試（eTT／uTT）動態(tài)隨機存取內(nèi)存（DRAM）現(xiàn)貨價昨（30）日止跌彈升，512M DDRII現(xiàn)貨價大漲9.24%，顆粒均價回到2.84美元。明顯的彈幅是否代表DRAM春天不遠？臺內(nèi)DRAM業(yè)者認為，這波反彈純屬補庫存效應，需求尚不明顯，正式彈升的時機還是有待觀察。　　
       2月下旬以來由閃存價格回溫帶動的內(nèi)存景氣似乎有加溫的跡象，閃存現(xiàn)貨報價昨天各規(guī)格產(chǎn)品漲幅在3.4%~6.8%之間，主流的8Gb報價已經(jīng)回到9.1美元，也帶動DRAM現(xiàn)貨價格上揚，512M DDRII現(xiàn)貨價格下周將有機會挑戰(zhàn)3美元。
       產(chǎn)品報價上漲，DRAM股昨日幾乎全面上揚，力晶（5346）上漲0.3元，收盤價19.8元，逐漸擺脫司法陰影，下周有機會重回20元整數(shù)關卡；茂德（5387）勁揚0.65元，收盤價12.85元，關系企業(yè)茂硅（2342）更是直拉漲停板，收盤站上40元，每股價位來到40.6元。
       根據(jù)集邦科技昨報價信息顯示，DRAM現(xiàn)貨價昨日持續(xù)近期的反彈走勢，其中，DDRII 512Mb 667MHz主流品牌顆粒價格較前日上漲2.75%，DDRII 512Mb eTT更大漲9.24%。
       不過，臺灣DRAM廠商分析，這波DRAM反彈，系因DRAM價格大跌進入3美元以下的成本區(qū)，部分大陸貿(mào)易商預期DRAM制造廠開始將產(chǎn)能轉(zhuǎn)作Falsh，因此趁機回補庫存，營造出需求增加產(chǎn)生的效果。
       業(yè)者進一步認為，昨日DRAM現(xiàn)貨價一度大漲，還有部分原因是昨日是季一個工作天，部份廠商不想出貨，導致供給消失，然而，這股供給動能一旦在下周開始涌出，加上OEM端的庫存仍未去化，這波反彈走勢是否能繼續(xù)拉抬，仍有待觀察。