南科總經理連日昌昨（九）日指出，南科首座十二寸廠（三A）會在明年底前達到滿載六萬二千片的月產出，屆時，南科全球市占率超過一成，且將正式跨足NAND快閃記憶體市場，不排除對外尋求合作，但目前還沒有對象。至于第二座十二寸廠（三B）會在今年下半就動土。
       連日昌認為，今年整體市場景氣起伏很大，PC內建記憶體模組的主流規格會從去年的一G，提高到一．四G至一．五G，加上PC的年復合成長率大約在一成上下，因此推估今年DRAM市場的年成長率會達到六成。
       南科副總經理陳宏謨進一步表示，今年前三月DRAM價格的跌幅到達三成，而VISTA效應至今都未能刺激市場買氣。展望第二季，他認為原本就屬傳統淡季，因此不會太好，預計得等到第三季PC買氣時才會回春。
       另外，DRAM價格二月下跌速度快，到了本月份，雖然跌價壓力還是很大，但預期三月下旬跌勢可望趨緩，而今年的三、四月應是產業的谷底。
       近年來南科多次表示，待全球市占率能超過一成時，便會進軍NAND快閃記憶體市場，只是究竟何時市占能達到目標，南科多年來總未有時間表，但今年終于明朗化了，連日昌表示，雖然目前NAND快閃記憶體價格差，產能又多，但南科還是會在DRAM腳步站穩后切進去，且不排除未來與其他廠商合作，時間點預計是明年底三A廠滿載產出，且全球市占超過一成的時候。
       南科的三A廠，今年五月移入設備，七月試產，九月量產，階段月產三萬片，明年第二季六萬片，以九○奈米試產七○奈米量產，而三B的廠房也提前在下半年動土，明年下半會蓋好，并以七○奈米試產，六○奈米以下制程量產；另外，林口新廠足夠興建四座月產能六萬片的廠房。而面對南科后續是否有到大陸設廠的想法，連日昌認為大陸無顯著的成本效益，反觀臺灣半導體產業群聚效益很顯著，因此不需要去。
       陳宏謨指出，南科今年首季產出比去年第四季成長一五％，第二季又會比季成長超過一成，全年產出比去年成長五成，到了○八年產出又會比○七年成長超過八成，至于今年的資本支出為新臺幣六百億元，明年三百一十五億元。
       南科副總經理白培霖則表示，二月平均報價大跌二一％，估三月合約價會比二月下跌一三％至一五％，但法人圈則估算南科首季每股獲利將超過一元。