封裝業(yè)者矽品精密(SPIL)日前宣布，該公司已采用FOW (Film Over Wire)專利封裝技術，成功為客戶量產Flash Card記憶卡。這項FOW封裝技術可以靈活運用在堆疊封裝上，具有降低堆疊封裝高度14%以及縮減寬度14%的優(yōu)勢，并且能夠保護晶片及焊線不受到損傷。

       電子產品強調輕薄短小而且功能強大，使得產品內部每項零組件體積必須不斷微縮，以節(jié)省體積及減輕重量，處處挑戰(zhàn)廠商制造能力極限，因此堆疊封裝技術(Stacked Die Package)就成為縮減體積的解決方案之一，其特點就是能夠在體積限制之下，將更多的晶片封裝在一起。不過堆疊封裝目前也遭遇到技術上的瓶頸，因為在堆疊層數(shù)持續(xù)增加的情形下，的高度和寬度一定會超過封裝體的范圍。

       矽品的FOW專利封裝技術，號稱突破了體積限制的瓶頸，采用不同于傳統(tǒng)的晶片堆疊方式，可以比一般晶片堆疊封裝高度低14%、寬度縮減14%，能夠節(jié)省多的空間，適合應用在高堆疊層數(shù)，以及晶片面積大小相近的產品上，在經過多層堆疊之后，仍然可以達到CSP (Chip Scale Package)要求。目前可以應用的產品為高容量記憶體(DRAM及Flash)堆疊封裝。

       矽品表示，該公司已經成功將FOW封裝技術運用在Flash Card記憶卡，量產了堆疊3層NAND Flash Card記憶卡。而2007年矽品更是將充分發(fā)揮FOW技術，在Flash Card記憶卡嚴苛的體積條件限制之下，率先研發(fā)出堆疊9層晶片的產品，層數(shù)比以往大幅增加3倍。

       來源：中國IC交易網(wǎng)