IBM和其聯合開發聯盟伙伴英飛凌和飛思卡爾半導體以及Common Platform技術伙伴特許半導體和三星電子，簽署了一系列半導體工藝開發和制造協議，以期在未來繼續保持技術地位。

　　上述公司簽署的聯合開發協議包括32納米CMOS（互補性氧化金屬半導體）工藝技術及支持該技術的工藝設計套件（PDK）。在之前90納米、65納米和45納米工藝聯合開發和制造協議大獲成功的基礎上，聯盟伙伴將能夠生產出高性能、低功耗的32納米芯片。

　　聯盟伙伴計劃將各自的專業技術匯聚起來，在設計、開發和制造技術方面進行協作，協作將一直持續到2010年。這些技術作為廣泛系統的平臺——從下一代手持設備到世界上性能強的超級計算機，可被五家聯盟伙伴和其他公司用來解決諸如醫藥、通訊、交通和安全等領域的現實問題。

　　“IBM仍然相信，不管是現在還是未來，在一個開放的合作伙伴體系中開展協作創新，是保持技術地位的關鍵所在，”IBM全球工程解決方案部半導體解決方案總經理Michael Cadigan說，“今天發布的新聞驗證了滿足客戶技術要求的戰略。隨著我們的協議擴展至32納米技術——包括我們對已開展逾十年之久的聯合開發模式進行補充的研究和制造，IBM正與其聯盟伙伴密切合作，推出能顯著改變我們生活、工作和娛樂方式的前沿技術。”

　　“英飛凌繼續奉行與聯盟伙伴聯手開發和投產技術的成功戰略，”英飛凌基礎技術和服務部門副總裁Franz Neppl博士透露，“聯合開發的技術，加上英飛凌的應用和產品設計能力，將使得英飛凌能夠為其通信和汽車/工業領域的核心客戶提供經濟合算的硅芯片解決方案和制造能力。”

　　“32納米技術將遭遇材料和器件結構方面新的重大挑戰，”三星電子系統LSI部ASIC/晶圓業務執行副總裁KP Suh表示，“我們期望和擁有業內眾多技術的伙伴一起努力，推出突破性技術。”

　　作為Common Platform技術制造廠商的IBM、特許半導體和三星將能夠利用聯合開發出的32納米工藝技術和設計套件，使它們的制造工廠保持同步。這有助于它們在為各自的高產OEM客戶靈活生產幾近相同的芯片，這些OEM客戶要求采用多方外包模式并希望盡早獲得工藝技術。

　　五家公司在聯手推出業內的、用于高性能低待機功耗產品的技術時，將：

　　在保持出色性能的同時，專注于降低成本和復雜性；
　　在后端工序（BEOL）應用新材料，如高介電常數金屬柵極(high-k/metal gate)、先進的應力工程材料，以及超低介電常數薄膜；
　　應用的浸沒式光刻技術，使密度和芯片尺寸具有競爭力；
　　致力于為數字通信市場提供的模擬產品；
　　為RF CMOS和嵌入式DRAM等衍生技術提供平臺。

　　此外，通過在制造平臺伙伴采用共同的制造電氣規格，有助于技術在各伙伴的工廠之間輕松轉移。

　　“業界已經認識到協作模式在提供高性能及高性價比產品解決方案方面的價值和重要性，”特許半導體技術開發部門副總裁Liang-Choo Hsia指出，“在合作模式的第四階段，每個公司將提供獨有的能力和專長，開發以客戶為中心的產品。我們之間的協作已經成為為客戶提供的靈活外包解決方案的平臺。”

　　與之前聯合開發行動一樣，32納米工藝合作將包括聯合開發一個套件(enablement package)。這個套件可支持大多數通用設計工具，從而允許客戶在具體產品上應用32納米技術時，能夠發揮該先進技術的全部潛力。

　　與前幾個階段一樣，32納米工藝開發活動將在IBM設在紐約州East Fishkill的300毫米晶圓廠進行。飛思卡爾半導體于1月23日宣布加入聯盟。