摘要：Intel款采用65納米制造技術、1GB儲存容量的 NOR多級單元閃存芯片目前正在進行測試，這種NOR多級單元閃存芯片通常用于手機進行通話運作，控制個人信息管理、儲存照片、音樂和視頻；而其樣品在今年的第二季度末就可以使用。

       據悉，Intel款采用65納米制造技術、1GB儲存容量的 NOR多級單元閃存芯片目前正在進行測試。據稱這種NOR多級單元閃存芯片通常用于手機進行通話運作，控制個人信息管理、儲存照片、音樂和視頻；而Intel公司采用的65納米制造技術的批芯片，已經在去年下半年發貨，目前廣泛用于筆記本電腦、臺式機、服務器和內置在微處理器中。

　     據Intel閃存部門副總裁兼總經理Brian Harrison稱:“我們提供的65納米的NOR閃存芯片產品將繼續使我們保持在行業中主流手機市場的地位，新的制造技術可以提高閃存的性能，能夠使下一代手機為終端用戶提供新的和更強大的能力。”65納米NOR多級單元閃存芯片的樣品今年第二季度末就可以使用。

       而采用Intel公司芯片的手機原始設備制造商(OEM)將從這一普通的閃存架構中受益，他們將很容易的從90納米制造工藝轉移到65納米技術。