IR推出25V同步降壓式轉(zhuǎn)換器DirectFET MOSFET芯片組，適用于負(fù)載點(diǎn) (POL) 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)，以及服務(wù)器、高端臺(tái)式和筆記本電腦應(yīng)用。
      新25V芯片組結(jié)合了IR的HEXFET MOSFET硅技術(shù)與先進(jìn)的DirectFET封裝技術(shù)，在SO-8占位面積及0.7mm纖薄設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)了高密度、單控制和單同步MOSFET解決方案。新的IRF6710S2、IRF6795M和IRF6797M器件的特點(diǎn)包括：非常低的導(dǎo)通電阻 (RDS(on))、柵極電荷 (Qg) 和柵漏極電荷 (Qgd) ，以實(shí)現(xiàn)高效率和散熱性能，并可實(shí)現(xiàn)每相超過(guò)25A的工作。
      IRF6710S擁有0.3Ω的極低柵極電阻和3.0 nC的超低米勒電荷 (Qgd) ，可以大幅減低開(kāi)關(guān)損耗，使這些器件非常適合作為控制MOSFET使用。
      IRF6795M和IRF6797M擁有極低的RDS(on)，可以顯著減少導(dǎo)通損耗，而集成的肖特基整流器可以降低二極管導(dǎo)通損耗和反向恢復(fù)損耗，使這些新器件非常適合大電流同步MOSFET電路。IRF6795M和IRF6797M采用通用MX占位面積，能輕易由原有SyncFET器件轉(zhuǎn)向使用新器件。