Infineon技術AG宣布已經同意認證IBM的嵌入式flash存儲制造工藝。130-nm級工藝將投入到IBM在北美的生產中，Infineon同時說未來基于該工藝的產品將采用IBM的代工。

       自2006年年初以來，Infineon的130-nm級嵌入式flash工藝已經實現了量產，被在從汽車系統到智能卡等設備的微處理芯片中。

       “我們達成這項認證和代工協議從而拓展我們為與IBM之間長期以來的合作與技術發展而感到欣慰。” Infineon的汽車，工業和多市場部門主管Peter Bauer說。“通過這種合作，Infineon依靠自身IP工藝優勢，贏得了新的量產基地，加強了與長期伙伴之間的工作關系。

       “通過與嵌入式Flash技術的巨頭之一Infineon的合作，將加大我們在半導體產業的投資比重。”IBM全球工程解決方案負責半導體方面的副總裁Steve Longoria說。“這項認證協議將會為我們提供流行的技術基礎支持并完善我們的類似和混合信號專業技術。”

       這種工藝的整合和認證工作已經在IBM位于Vermont州Burlington的200-nm晶圓工廠啟動，并計劃在在2008年下半年完成具備可行性的整套初步設計。