10月23日，從國外媒體處獲悉：全球閃存巨頭韓國三星電子公司周二宣布，已經利用三十納米半導體工藝制造出了64GB閃存芯片。這是全球塊64GB的NAND閃存芯片。
       三星電子公司表示，他們利用三十納米的的半導體工藝研制了這種高容量的閃存芯片。目前，該公司在普通閃存芯片的制造中一般采用五十納米工藝。
       三星電子公司在一份聲明中說，64GB產品意味著閃存行業在容量方面又跨越了一步。高容量閃存將滿足日益膨脹的消費電子產品對于存儲介質的需求。
       三星電子公司表示，64GB的閃存芯片屬于全世界首創。它的問世，也是閃存行業連續八年讓容量翻倍，也是連續七年在芯片制造工藝上獲得提升。
       三星電子說，他們將在2009年開始量產這種高容量閃存芯片。
       眾所周知的是，閃存在供電取消之后仍然可以保存數據，和硬盤相比穩定性更高，功耗也越少，目前被廣泛用于包括音樂播放器、手機、數碼相機在內的消費電子產品。多家公司甚至已經生產出可以用于電腦的閃存混合硬盤。業界普遍認為，隨著閃存價格不斷下降，未來硬盤將逐漸被閃存所取代。
       需要指出的是，去年，三星電子宣布生產出了32GB容量的閃存芯片，當時采用的是四十納米的半導體制造工藝。三星電子公司發言人說，他們將在明年量產32GB的閃存芯片。