非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation推出2兆位并行存儲器產(chǎn)品，進(jìn)一步擴(kuò)展其高密度F-RAM系列。FM21L16是采用44腳TSOP-II封裝的3V、2Mb并行非易失性RAM，具有訪問速度快、NoDelay無寫等待、無限次讀/寫和低功耗等特點。FM21L16與異步靜態(tài)RAM(SRAM)管腳兼容，其目標(biāo)應(yīng)用是以SRAM為基礎(chǔ)的工業(yè)控制、計量、醫(yī)療、汽車、軍事、游戲與計算機(jī)應(yīng)用等。
       FM21L16是128K×16非易失性存儲器，采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)并行接口，能以總線速度進(jìn)行讀寫操作，使用壽命超過100萬億次寫入和超過10年的數(shù)據(jù)保存能力。該器件的存取時間為60ns，周期為110ns，內(nèi)置先進(jìn)的寫保護(hù)配置以避免意外的寫操作及數(shù)據(jù)損壞。
       2Mb F-RAM是標(biāo)準(zhǔn)異步SRAM的直接替代產(chǎn)品，而毋需電池進(jìn)行數(shù)據(jù)備份，從而顯著改進(jìn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)與可靠性。與電池支持的SRAM不同，F(xiàn)M21L16是真正的表面貼裝解決方案，不需要提供附加電池的重寫入操作，且防止潮濕、沖擊和振動的危害。
       FM21L16具備能與當(dāng)前高性能微處理器相連的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)并行接口，兼具高速頁面模式，能夠?qū)崿F(xiàn)每秒80兆字節(jié)的峰值帶寬，是市場上速度快的非易失性存儲器方案之一。該器件較標(biāo)準(zhǔn)SRAM具有更低的工作電流，讀/寫操作時為18mA，在超低電流睡眠模式下僅為5uA。FM21L16在整個工業(yè)級溫度范圍內(nèi)(-40℃至+85℃)于2.7至3.6V下工作。要了解FM21L16產(chǎn)品的更多信息，請訪問網(wǎng)頁www.ramtron.com/highdensityFRAM/Default.asp。
       供貨
       采用符合RoHS要求44腳TSOP-II封裝的FM21L16現(xiàn)已提供樣品。