NEC電子近日完成了8款用于汽車的P溝道功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)小型封裝產品的開發，并將于即日起開始發售樣品。
       此次推出的新產品主要用于繼電器、電機等通過電流為數十安培的控制單元，其中NP50P04等4款產品為40V耐壓、導通阻抗為業界的產品；另外4款產品與現有的60V耐壓品相比，導通阻抗可減至一半。
       新產品的樣品價格因耐壓及導通阻抗的不同而有所差異，其中NP50P04(40V耐壓、導通阻抗9.6mΩ)的樣品價格為150日元/個。批量生產將從2007年年底開始，生產規模預計可達50萬個/月。
       此次推出的8款新產品的共通特征如下：
       (1)采用JEDEC標準的小型封裝(TO-252)
       此次推出的新產品均采用了JEDEC標準的小型封裝——TO-252封裝，TO-252封裝與以往JEDEC標準的TO-263封裝相比，封裝面積減小了一半，因此更有助于用戶實現控制單元的小型化。
       (2)符合AEC-Q101 Stress Test品質認證標準
       此次推出的新產品均符合AEC(Automotive　Electronics Council)-Q101規定，可保證Tch(max)＝175℃的額定溫度。AEC-Q101為1995年JEDEC會議上為實現汽車電子設備用分立半導體品質標準化而設置的應力測試規范。
       其中，40V耐壓品還具有以下特征：
       (3)40V耐壓、低導通阻抗
       NEC電子此次不僅有效地利用了在N溝道產品中積累的經驗，還采用了0.25μm工藝，實現了40V耐壓、導通阻抗可達業界小水平——9.6mΩ的P溝道產品。除了導通阻抗為9.6mΩ的產品之外，此次推出的產品中還包括導通阻抗為18mΩ、30mΩ、45mΩ的產品。
       60V耐壓品還具有以下特征:
       (4)與以往的產品相比，低導通阻抗值可減至一半(4款產品)
       此次推出的產品采用了比以往使用的0.5μm工藝更微細化的0.25μm工藝，實現了16.5mΩ的低導通阻抗，該導通阻抗約為以往產品的一半。除此之外，此次推出的產品中還包括導通阻抗為30mΩ、50mΩ、75mΩ的產品。