日前，為不斷滿足對高熱效功率半導(dǎo)體不斷增長的需求，Vishay Intertechnology, Inc.(威世)宣布推出七款采用新型PowerPAK ChipFET封裝的p通道功率MOSFET，該封裝可提供熱性能，其占位面積僅為3mm×1.8mm。
       這些新型PowerPAK ChipFET器件的熱阻值低75%，占位面積小33%，厚度(0.8毫米)薄23%，它們成為采用TSOP-6封裝的MOSFET的小型替代產(chǎn)品。這些器件的功耗為3W，與更大的SO-8封裝的相同。
       憑借低傳導(dǎo)損失及更高熱效，Vishay新型PowerPAK ChipFET系列中的p通道功率MOSFET可延長便攜式設(shè)備的電池使用時間，在這些器件中，它們將用于替代采用TSOP-6封裝的負載、充電器及電池MOSFET開關(guān)。此外，肖特基二極管版本的p通道還可作為便攜式設(shè)備或異步直流到直流應(yīng)用中的充電器開關(guān)，例如硬盤驅(qū)動器及游戲機中的充電器開關(guān)，以替代采用SO-8封裝的器件。
       由于這些新型PowerPAK ChipFET功率MOSFET具有多種配置及電壓，因此設(shè)計人員可利用采用這種創(chuàng)新封裝的器件輕松替代熱效更低的更大MOSFET。日前推出的這七款新型器件為單通道、雙通道及單通道帶肖特基二極管的功率MOSFET，它們的額定擊穿電壓為12V及20V。
       采用PowerPAK ChipFET系列封裝的單個p通道功率MOSFET的額定典型熱阻值低至3℃/W(RthJC)，20VDSp通道單信道器件中的導(dǎo)通電阻值低至0.021Ω，雙通道器件的導(dǎo)通電阻值為0.064Ω——與采用TSOP-6封裝的器件相比，改進了50%。
       同樣封裝的互補n通道與p通道PowerPAK ChipFET MOSFET對于n通道元件具有0.039Ω的導(dǎo)通電阻值，對于p通道元件具有0.072Ω的導(dǎo)通電阻值，與采用TSOP-6封裝的導(dǎo)通電阻值-rDS(on)的相應(yīng)器件相比，改進了35%以上。
       目前，這些新型PowerPAK ChipFET器件的樣品及量產(chǎn)批量均可提供，大宗訂單的供貨周期為12-14周。所有這些新型PowerPAK ChipFET器件均與采用標(biāo)準(zhǔn)ChipFET封裝的產(chǎn)品引腳兼容。