英特爾公司推出了128Mb的相變存儲器樣片，并計劃于今年下半年采用90nm技術進行量產。該器件代號為Alverstone，是英特爾的相變存儲器，并被視為NOR閃存的替代品。英特爾是全球第二大NOR閃存供應商,僅次于Spansion公司。
      
       英特爾首席技術官Justin Rattner表示，該器件的“寫”性能比目前的NOR閃存強六倍，且更具“魯棒性”，能保證至少1百萬次的寫循環(huán)。
      
       這種非易失性存儲技術是基于硫族材料的電致相變，以前在批量生產時總是難以獲得穩(wěn)定性。相變材料可呈現(xiàn)晶態(tài)和非晶兩種狀態(tài)，分別代表了0和1，只需施加很小的復位電流就可以實現(xiàn)這兩種狀態(tài)的切換。
      
       相變存儲器的縮寫為PCM或PRAM，與其相競爭的下一代存儲替代技術有很多，其中包括磁性RAM(MRAM)。一旦DRAM和閃存遇到無法超越的工藝縮小極限，這些技術就將成為它們的替代品。許多技術專家認為閃存可能在45或35nm時達到極限。
      
       但這些下一代存儲技術仍存在不確定因素，比如MRAM在密度方面就不夠完美，目前芯片容量大約在16Mb左右，IDC公司半導體分析師Celeste Crystal表示。“英特爾128Mb PCM技術的發(fā)布具有十分重要的意義，它表明了PCM的密度不久就能滿足目前的應用需求。而且我聽說它向后兼容NOR插槽。今后我們關注的是英特爾是否能順利完成它的計劃。”她指出。
      
       一般手機采用的是256Mb的分立式NOR閃存，在成本敏感的手機中也可能是128Mb。Rattner認為，英特爾將目前的128Mb產品只作為NOR替代品的目標是“非常恰當的”。但他同時補充道：“該產品確實展示了相變技術的性能潛力。”
      
       閃存發(fā)展仍有前途
      
       現(xiàn)在就肯定哪種存儲器會代替閃存還為時過早，Objective Analysis公司首席閃存分析師Jim Handy表示，“雖然PRAM、MRAM、FRAM(鐵電RAM)等所有這些技術都被吹噓成閃存達到工藝極限時的替代品，但閃存的工藝極限仍然在不斷縮小。”
      
       Handy相信，在閃存達到極限之前，這些技術都將繼續(xù)相互追趕。
      
       Rattner指出，英特爾不僅將這個代器件視為一種產品，而且是作為精細相變存儲器量產進程的一種途徑。“如果PCM能得到大批量和低成本的制造，那么它必將引發(fā)人們對存儲器結構的重新思考。”他認為，“PCM肯定比DRAM便宜，如果它也能作為一種非易失性的快速讀寫存儲器，那么勢必將成為極有競爭力的DRAM替代品。”
      
       去年夏天，英特爾開始與意法半導體合作開發(fā)相變存儲器。兩家公司在VLSI技術大會上曾聯(lián)合提交了相關研究報告。雖然英特爾在量產方面走在了前頭，但意法半導體則計劃在實現(xiàn)45nm工藝節(jié)點之前不進行量產。意法半導體目前已擁有采用90nm工藝技術的128Mb樣品。