Hittite Microwave Corporation不久前推出該公司首批寬波段、極低噪聲分布式MMIC放大器，適用于2~18GHz范圍內的軍事、航空、測試設備和光纖應用。
       HMC606、HMC606LC5為GaAs InGaP HBT MMIC分布式放大器，其典型小信號增益為13.5 dB，中波段下輸入和輸出回波損耗為20 dB。與基于FET的同類分布式放大器相比，這兩款放大器的相位噪聲性能有很大改進。
       當在輸入端加頻率為4 GHz的-1dBm信號時，HMC606和HMC606LC5的相位噪聲分別為-153 dBc/Hz@1 kHz和-157 dBc/Hz@1 kHz,偏移量為10 kHz；在輸入端加頻率為12 GHz的-2 dBm輸入信號，HMC606 和HMC606LC5的相位噪聲分別為-151@1 kHz和-160 dBc/Hz@1 kHz，偏移量為10 kHz。HMC606和HMC606LC5的中波段噪聲系數為4.5 dB、輸出P1dB/+15 dBm。因其所采用的偏置拓撲，僅從單個+5V 電源消耗64mA電流。
       HMC606和HMC606LC5適用于頻率合成器應用，也可與Hittite的一系列倍頻器和VCO產品協同架構高性能LO分布式和多用途鏈路。HMC606LC5采用5 x 5 mm陶瓷無引線表面貼著封裝，適用溫度等級為-40℃~+85℃。有適用于混合型MIC和MCM組件應用的HMC606 die（芯片），其適用溫度等級為-55℃ ~+85℃。Die、SMT和評估PC板現皆有庫存。詳細使用手冊可從www.hittite.com下載。