近日，應用材料公司宣布推出Applied Producer? Celera? PECVD(等離子體強化化學氣相沉積) 系統，它能實現在45納米及更小技術節點的器件上生產速度更快的晶體管所需要達到的應力水平，是應力工程技術(Strained engineering technology) 的一個巨大進步。該系統結合應用材料的Nanocure? UV（紫外線）處理技術以及改進型氮化物沉積反應腔，把薄膜張力提高了超過30%，達到了業界的1.7GPa等級，并可擴展至超過2.0GPa。在鍺硅凹型源漏結構的應用中，同一個沉積反應腔可以沉積達3.5GPa的壓力薄膜，使驅動電流提高超過85%。
       Producer Celera系統的關鍵是其完整的多級沉積和處理工藝，使得NMOS 器件中PECVD的張力達到了業界。整個工藝在同一系統中進行，不必接觸空氣，使器件可靠性和性能得到了化。
       應用材料公司副總裁，薄膜事業部總經理Farhad Moghadam博士表示：“Producer Celera是臺在同一主機上整合了應力形成氮化物沉積和UV處理技術的系統，這是和其他產品重要的不同之處。對于張力的增加能夠顯著提高性能的NMOS器件來說，它突破了性能提升的障礙。其獨特的配置已經經過了驗證，并被用于多家客戶在全球的生產。”
       多重應力工程薄膜經常被先進器件所采用來提高晶體管驅動電流，從而優化其速度和功耗性能。應力薄膜和新型高K/金屬柵極技術的結合將進一步推動芯片縮小超越45納米技術節點，使摩爾定律得以繼續生效。