5月24日消息，從其下一代微處理器開始，英特爾將告別鉛這種半導體上使用的毒害的物質之一。
       據IDG新聞社報道，英特爾本周二宣布，從采用45納米制造工藝的Penryn產品線開始，英特爾微處理器今年將走上無鉛化道路。采用65納米技術的芯片也將在明年實現無鉛化。
       為了在 其芯片上剔除出鉛，英特爾已進行了數年的研究，并為此付出了巨大的代價。在2005年，英特爾曾透露，它已投入了1億美元來開發在封裝芯片時用做焊接材料的鉛的替代產品。當時英特爾設定的目標是在2010年實現無鉛化。
       英特爾沒有披露從其處理器上剔除鉛的總成本。英特爾說，鉛是一種有毒的物質，但其獨具的電子和機械整體特性，使它在半導體制造過程中非常有用。
       英特爾在2002年開始了無鉛化努力，當時它生產的閃存使用一種錫/銀/銅合金代替了錫/鉛焊接材料。到2004年，該公司成功在其芯片組和處理器上替換了大部分的錫/鉛合金。不過，在這些芯片內部硅基和芯片封裝連接之處，它仍使用了0.02克的鉛。
       在周二做出宣布之后，英特爾計劃使用錫/銀/銅合金完全取代目前錫/鉛合金。英特爾稱，這種變化不會對芯片影響到芯片的性能。