Microsemi公司推出了一系列FREDFET(H-FREDFET)快速恢復(fù)二極管，屬于其一代功率MOS 8產(chǎn)品線，面向多種500 V和600 V應(yīng)用，包括AC-DC離線電源、馬達(dá)驅(qū)動器、服務(wù)器和電信電源系統(tǒng)、太陽能逆變器、單相及三相電弧焊和等離子切割設(shè)備、電池充電器、半導(dǎo)體資本設(shè)備和感應(yīng)加熱。醫(yī)療設(shè)備方面包括磁共振成像(MRI)和計算機(jī)化X射線軸向分層造影(CT)。
       與早期的器件相比，先進(jìn)的制造工藝降低了MOS 8產(chǎn)品的熱電阻，使每個裸片尺寸和封裝類型可承受更高的額定電流。電容和柵電荷的降低可實(shí)現(xiàn)較高的轉(zhuǎn)換頻率和較低的開關(guān)損耗。MOS 8 H-FREDFET具有MOS 8 FREDFET的所有特點(diǎn)與優(yōu)點(diǎn)，低導(dǎo)通電阻RDS(on)，體二極管的恢復(fù)速度小于或等于200ns。這些器件在寄生二極管承載正向電流的應(yīng)用中具有極好的耐用性和可靠性，如常用的零電壓轉(zhuǎn)換(ZVS)橋拓?fù)洹Ｋ蠱OS 8 H-FREDFET器件都經(jīng)過雪崩能量檢測，所用封裝皆符合RoHS指令。