日本東芝公司從多方面出擊，面向日益興起的嵌入式NAND閃存市場新推出4種新的技術。這些技術旨在提升NAND閃存的錯誤修正碼(ECC)功能并解決其它問題。
      
       具體而言，這4種技術包括邏輯塊尋址(LBA) NAND、千兆字節(GB) NAND、GB多芯片封裝(MCP)和堆疊封裝(PoP)。其中，邏輯塊尋址(LBA)NAND；GB-NAND；GB多芯片封裝(MCP)技術，封裝層疊技術(PoP)，目標是提高糾錯編碼能力(ECC)和解決設計NAND閃存方面的其他問題。LBA-NAND和GB-NAND是單器件解決方案，而GB MCP和PoP則屬于芯片封裝技術的范疇。
      
       這些解決方案采用了東芝的56納米工藝多層單元(MLC)NAND閃存芯片。東芝公司期望嵌入式NAND閃存市場規模會從2006年的63億美元發展到2010年的129億美元。東芝緊隨韓國三星電子有限公司之后，是世界第二大NAND閃存供應商。
      
       整合NAND閃存的設計在消費電子領域日趨普遍。但對設計師而言，采用NAND閃存進行設計也存在其固有挑戰，如從4位ECC向6位ECC的轉變以及復雜的軟件驅動問題等。另一個讓人頭疼的挑戰是從SLC NAND體系結構向MLC 芯片的轉變。
      
       “MLC需要更好的糾錯能力。”東芝美國電子元件公司的技術人員Doug Wong強調說。為了能在這方面對設計師們有所幫助，東芝已經推出基于LBA-NAND和GB-NAND這兩種技術的56納米工藝的芯片。目前的NAND閃存使用物理地址訪問方式來定義閃存中每一個頁面的地址，尋址的過程依次是芯片-數據塊-頁面-存儲單元。這就要求技術人員必須要開發主機端與驅動程序規范，以識別和提供物理地址或者采用第三方控制器來協助完成對物理地址的訪問。
      
       東芝表示，LBA-NAND解決了其中的大部分問題。LBA的邏輯尋址訪問方式給每個存儲單元分配的地址編碼。個存儲單元的地址就是簡單的0，依次給每一個存儲單元編號。為每個存儲單元分配一個新的地址，使得增加存儲容量變得更加簡單易行。這個方法仍然兼容了數據塊管理、ECC以及耗損均衡(wear-leveling)等傳統NAND閃存功能，所有這些都在主機端的控制之下，只需配合芯片上的LBA-NAND控制器即可。
      
       東芝首批LBA-NAND芯片采用56納米工藝，目前提供2GB、4GB和8GB三種容量規格。該產品據稱有8位ECC處理能力，1萬次寫入/擦除周期，5MBps寫入速率，以及超過10MBps的讀取速率。其中，2GB和4GB芯片定在第二季度出產；東芝沒有透露8GB的投產時間。這些芯片采用48引腳TSOP封裝，作SLC NAND閃存芯片的替代之用。