飛思卡爾半導體(Freescale Semiconductor)日前在3GSM世界大會上展示了能夠為GSM和EDGE網(wǎng)絡(luò)基站提供100W射頻輸出功率的雙級射頻集成電路(RFIC)。

       該設(shè)備是目前投入商用的功率的雙級RFIC設(shè)備。當由飛思卡爾的MMG3005N通用放大器驅(qū)動(GPA)時，MWE6IC9100N和MW7IC18100N RFIC就構(gòu)成了100W功率放大器解決方案，用于運行在頻率從900到1,800MHz的無線基站。

       該解決方案的優(yōu)勢在于非常適合GSM和EDGE市場。此前，雙級RFIC設(shè)備的輸出功率不到30W，只能在驅(qū)動和預驅(qū)動階段使用。以前的設(shè)計需要一個單獨的高功率晶體管來實現(xiàn)50dB增益，GSM EDGE發(fā)射機一般都需要100W的輸出功率。現(xiàn)在，只需要一個GPA和一個RFIC就可滿足這種需要。

       MWE6IC9100N技術(shù)規(guī)范：

       MWE6IC9100N設(shè)計用于869至894MHz的蜂窩頻率和920至960MHz的GSM波段。對GSM操作來說，本設(shè)備可以在28V AB級偏壓條件下的1-dB增益壓縮(P1dB)上提供至少100W的CW輸出功率。增益是33.5dB，功率增加的效率超過了計劃運行范圍的52%。在EDGE應(yīng)用的28V漏偏壓和50W的平均輸出電壓中，MWE6IC9100N分別通過400kHz和600kHz上的-63dBc和-81dBc的頻譜再生來滿足嚴格的線性要求，其中有2% rms的EVM。

       MW7IC18100N技術(shù)規(guī)范：

       MW7IC18100N涵蓋1,805至1,880MHz和1,930至1,990MHz兩個波段，能夠通過30dB的增益，提供100W CW的P1dB射頻輸出功率。當運行在28V電壓上的GSM環(huán)境中時，功率增加的效率超過了計劃運行范圍的48%。EDGE的性能包括40W的平均功率、-63dBc(400kHz偏移量)和-80dBc(800kHz偏移量)的頻譜再生，具有1.5% rms的EVM。

       RFIC采用超模壓塑料封裝，具有內(nèi)部匹配性和良好的穩(wěn)定性。RFIC具有集成的ESD保護，符合RoHS要求，可處理200℃的聯(lián)結(jié)溫度。它們還包括集成的靜態(tài)電流熱追綜設(shè)備，可提供高效的溫度補償。在所有放大器的115℃的操作溫度范圍內(nèi)，在5%的浮動范圍內(nèi)保持電流恒定。

       RFIC結(jié)合了自動偏置功能，有助于簡化功率放大器系統(tǒng)的設(shè)計，使設(shè)計人員能夠用小的外部電路設(shè)置放大器偏壓。此外，設(shè)備還可用少的控制電路，通過自動補償來設(shè)置理想的漏靜態(tài)電流。

       供貨情況

       MWE6IC9100N現(xiàn)已批量生產(chǎn)，產(chǎn)品已上市。MW7IC18100N現(xiàn)在也在打樣，計劃于2007年3月批量生產(chǎn)。現(xiàn)在，兩種產(chǎn)品均可使用MMG3005N的驗證的射頻和全部演示。

       來源：國際電子商情