飛利浦日前表示，將加快推進以車載微控制器和非接觸IC卡應用領域為中心的混載閃存(NANO flash)制造工藝的提高。2006年第1季度繼正在量產的180nm工藝之后已經開始生產140nm工藝產品，同時現已著手準備向90nm工藝過渡。
該公司180nm工藝混載閃存在車載領域已獲得“Grade-1”認證。產品廠商可保證在車載領域所要求的125℃高溫條件下正常工作。其混載閃存之所以能耐高溫運行，“原因是耗電量低”。
該公司負責技術研發的Frans List表示：飛利浦混載閃存的的特點是耗電量低，其主要用途是對耗電量要求嚴格的車載微控制器和非接觸IC。當然，包括便攜終端在內的數字民用產品也是重要的用途之一。180nm工藝16Mbit產品的寫入與刪除電壓分別為1.5V和1.2V，單位工作頻率的耗電量為1.62mW/MHz。
Frans List指出：之所以能實現低耗電，原因在于它是以F-N(Fowler-Nordheim)穿隧方式寫入數據。這種方式由于不在構成單元的MOS FET源-漏極之間施加電壓，因此與混載閃存領域普遍采用的CHE(溝道熱電子)注入方式相比，可降低寫入電流。
在談到寫入速度上與CHE注入方式的比較時，Frans List指出：以單元為單位的寫入速度的確是CHE注入方式更快一些。不過，F-N穿隧方式由于能夠以由多個單元構成的單元塊進行寫入，因此容量越大，在寫入速度上與CHE注入方式相比就越具優勢。
飛利浦采用的是由數據保存用MOSFET和單元選擇用MOSFET構成一個單元的“2T型”，但這并沒有影響尺寸，由于它的耗電量低，與CHE注入方式的1T型能夠減小升壓電路的設計尺寸，16Mbit產品的芯片面板為19mm^2，實現了接近1Mbit/mm^2的集成密度。在制造工藝更的混載領域，升壓電路在整個芯片中所占的面積較大，單元面積的增加可通過升壓電路的小型化加以補償。
該公司180nm工藝混載閃存在車載領域已獲得“Grade-1”認證。產品廠商可保證在車載領域所要求的125℃高溫條件下正常工作。其混載閃存之所以能耐高溫運行，“原因是耗電量低”。
該公司負責技術研發的Frans List表示：飛利浦混載閃存的的特點是耗電量低，其主要用途是對耗電量要求嚴格的車載微控制器和非接觸IC。當然，包括便攜終端在內的數字民用產品也是重要的用途之一。180nm工藝16Mbit產品的寫入與刪除電壓分別為1.5V和1.2V，單位工作頻率的耗電量為1.62mW/MHz。
Frans List指出：之所以能實現低耗電，原因在于它是以F-N(Fowler-Nordheim)穿隧方式寫入數據。這種方式由于不在構成單元的MOS FET源-漏極之間施加電壓，因此與混載閃存領域普遍采用的CHE(溝道熱電子)注入方式相比，可降低寫入電流。
在談到寫入速度上與CHE注入方式的比較時，Frans List指出：以單元為單位的寫入速度的確是CHE注入方式更快一些。不過，F-N穿隧方式由于能夠以由多個單元構成的單元塊進行寫入，因此容量越大，在寫入速度上與CHE注入方式相比就越具優勢。
飛利浦采用的是由數據保存用MOSFET和單元選擇用MOSFET構成一個單元的“2T型”，但這并沒有影響尺寸，由于它的耗電量低，與CHE注入方式的1T型能夠減小升壓電路的設計尺寸，16Mbit產品的芯片面板為19mm^2，實現了接近1Mbit/mm^2的集成密度。在制造工藝更的混載領域，升壓電路在整個芯片中所占的面積較大，單元面積的增加可通過升壓電路的小型化加以補償。