英特爾(Intel)日前于臺北舉行的2006年春季英特爾亞太科技論壇(IDF)活動中，宣布推出采用65納米(nm)工藝技術的1Gb多層單元(Multi-Level Cell，MLC)NOR閃存(Flash)芯片樣片。未來該公司的手機OEM客戶，將能透過共通的閃存架構，簡化從90納米轉移至65納米工藝技術的流程。 
       英特爾的NOR閃存芯片被應用在包括手機在內的裝置，用以管理手機作業(yè)、處理個人信息管理(Personal Information Management)的數(shù)據(jù)，以及儲存相片/音樂/影片等數(shù)字內容。而65納米工藝新組件將于第二季稍后開始向客戶提供樣本。 
       而英特爾也同時宣布與臺灣地區(qū)簽署合作備忘錄(Memorandum of Understanding)，雙方將共同推動產(chǎn)學合作研究計劃，提升大專院校創(chuàng)新研究能力，并開發(fā)符合企業(yè)需求的先進技術。 
       雙方合作將分兩階段進行，階段英特爾將從所補助的合作研究計劃(Joint Research Project)中，遴選出具前瞻性及產(chǎn)業(yè)發(fā)展優(yōu)勢的計劃，協(xié)助臺灣地區(qū)業(yè)者組成產(chǎn)學合作團隊，申請產(chǎn)學合作研究計劃，并舉行研發(fā)成果論壇或研討會。第二階段則將針對英特爾遴選及協(xié)助組成的產(chǎn)學合作計劃進行審查；經(jīng)審查通過者依規(guī)定補助研究經(jīng)費，并由英特爾提供所需的技術支持。