三星電子公司日前宣布，將開始量產(chǎn)1Gb容量的OneNAND閃存，采用70納米制造工藝。不到18個(gè)月之前，三星宣布開發(fā)出采用90納米工藝的1Gb容量OneNAND閃存器件。OneNAND閃存初設(shè)計(jì)用于手機(jī)的存儲(chǔ)設(shè)備，該器件結(jié)合NOR閃存的高速讀取數(shù)據(jù)功能和NAND閃存的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度。這種單芯片基于NAND閃存架構(gòu)，集成了數(shù)據(jù)緩存和邏輯接口。

       新的OneNAND內(nèi)存面向移動(dòng)手持設(shè)備，包括數(shù)碼相機(jī)用的存儲(chǔ)卡和磁盤驅(qū)動(dòng)設(shè)備。三星表示，OneNAND閃存具有高達(dá)每秒108Mb的持續(xù)讀取速度，以前的90納米OneNAND器件持續(xù)寫速度為每秒68Mb。在寫速度方面為每秒9.3Mb，這與90納米器件相同。

       據(jù)稱，這款70納米的存儲(chǔ)器已被設(shè)計(jì)用于超過100種移動(dòng)產(chǎn)品，包括數(shù)碼相機(jī)、機(jī)頂盒和數(shù)字電視。三星公司預(yù)測(cè)，2008年OneNAND的銷售量將達(dá)到10億美元，到2010年將超過15億美元。