IBM日前表示將開發(fā)在碳納米管上融合一片集成電路的器件。該技術(shù)有望加快下一代芯片產(chǎn)品的面世。 
       據(jù)近日發(fā)行的《科學(xué)》期刊報(bào)道稱，IBM研制了五級(jí)環(huán)形振蕩器，由12個(gè)并排的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)組成，沿著單個(gè)碳納米管的長度排列。 
       IBM表示，“通過調(diào)整所使用的單個(gè)P型和N型FET的門級(jí)工作功能，實(shí)現(xiàn)了互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。”該器件融合了碳納米管和FET的優(yōu)勢(shì)。“單壁碳納米管(SWCNTs)展現(xiàn)了的電氣特性，如經(jīng)過數(shù)百納米室溫下的彈道傳輸。” 
       該公司表示，“由單個(gè)管制成的場(chǎng)效應(yīng)晶體管顯示的直流性能規(guī)范可與那些水平的硅器件匹敵。下一重大舉措將是在SWCNT上加工集成電路，以研究SWCNT的高頻交流能力。”