全球存儲芯片制造商韓國三星電子公司23日宣布，公司將與德國英飛凌科技、新加坡特許半導體、美國IBM和飛思卡爾半導體等四家公司聯合開發新技術。
       三星電子在聲明中表示，它與其他四家企業將在2010年前聯手使用其32納米半導體制造工藝開發非存儲芯片技術。該項目將通過協同效應，打造出“高性能、低能耗”的芯片。
       據悉，三星在動態隨機存儲器和NAND閃存領域優勢明顯，但在整個半導體市場(包括存儲芯片以及非存儲芯片)其收入卻遠遠落后于同行英特爾。業內人士指出，三星此舉將大大促進其非存儲芯片技術的發展。