英特爾根據NVS以91%的年消耗速度增長，再加上手機、運算各領域的應用與消耗，該公司對于搶占這個市場的目標非常有信心。
       據Electronic News報道， 英特爾(Intel)的閃存事業部高管BrianHarrison向外界發布有關于該公司未來將如何搶占非易失性存儲器non-volatile存儲（NVS）市場的計劃； 這個市場在2006年規模約為200億美元，預測到了2010將增長至400億美元。
       英特爾根據NVS以91%的年消耗速度增長，再加上手機、運算各領域的應用與消耗，該公司對于搶占這個市場的目標非常有信心。在NOR方面，Harrison強調英特爾之前已經推出六代MLC產品，并且擁有M18系列能與90、65及45奈米node相容。在06年第四季，該公司更推出款65奈米1-gigabyteNOR芯片； 這款芯片的推出距離90奈米芯片只有一年。 在NAND方面，英特爾與美光(Micron)在06年7月合資的IMFlashTechnologies公司推出基于50納米制程的4GNAND閃存樣品。
       展望未來，英特爾非常看好新型態的存儲體phase-changememory(PCM)將具有很高的發展潛力，因為它兼具RAM、NOR與NAND的優點。PCM具有write-over的特性，也就是舊有的資料無需先被刪除就可直接再寫上新的資料。Intel預定在今年第二季開始提供90納米制程樣品與標準樣品，在今年底之前可能上市。