隨著DS32X35系列產品的發布，Dallas Semi-conductor公司提供了無需電池的非易失存儲器。這些器件采用鐵電隨機存取存儲器(FRAM)技術，FRAM是非易失存儲器，其讀／寫操作與RAM類似。該系列器件能夠可靠地將數據保持10年之久，與EEPROM和其他非易失存儲器不同的是：它不需要考慮系統復雜性、過度開銷以及可靠性等問題。從1992年出現塊FRAM至今，鐵電隨機存取存儲技術已趨于成熟。
2 非易失存儲器
目前，非易失存儲技術主要有3種：電池備份的SRAM、EEPROM和閃存。FRAM的速度類似于傳統SRAM；FRAM的操作類似于串行EEPROM，主要區別是FRAM具有更好的寫操作特性和耐用性，能以I2C的速度對存儲器進行讀寫操作。在寫操作時，無需輪詢器件確認就緒條件。表1給出了非易失存儲技術的評定，評定等級1()至4(差)。
同等容量的EEPROM相比較，FRAM具有諸多優勢：個優勢是FRAM能夠以總線速度執行寫操作，且數據開始傳輸后沒有任何寫延時。另外，FRAM不采用頁面寫操作方式，用戶可以簡便地連續寫入數據。數據傳輸時沒有尺寸限制，無延時。必要時，系統可以采用突發模式對整個存儲器陣列進行寫操作。
第二個優勢是寫操作耐久性，寫次數高達100億次。多數EEPROM的只寫次數只能達到100萬次。實際上可以認為FRAM沒有寫次數的限制，非常適用于數據采集。
第三個優勢是微功耗，有助于節省電能。FRAM采用鐵電存儲機制，可通過本地VCC支持寫操作，EEPROM則只需一個電荷泵或升壓電路。可見，FRAM電流消耗遠遠低于類似配置的EEPROM。
4 DS32X35帶有FRAM的高精度RTC
4.1 DS32X35簡介和內部結構
DS32X35是一款溫補時鐘／日歷器件，單個封裝內集成了32.768 kHz晶體和非易失存儲器。非易失存儲器采用兩種配置：2 048×8位或8 192×8位。該器件采用20引腳、300mil SO封裝。DS32X35包括一個FRAM區，無需電池備份即可保持存儲器的內容。此外，該系列器件可無限次地進行讀、寫操作。在產品有效使用期內，允許進行無限次的存儲器訪問，并且不存在磨損。
該系列器件的其他特性還包括兩個定時鬧鐘、可選的中斷或可編程方波輸出、一路經過校準的32.768 kHz方波輸出。復位輸入／輸出引腳提供上電復位功能，另外，復位引腳還可以作為按鍵控制輸入由外部產生復位。RTC和FRAM可通過I2C串行端口訪問。
新型DS32X35系列產品具有精確的計時功能，將四個分離器件集成到單一芯片。圖1給出了集成RTC、非易失存儲器、系統復位和32.768 kHz晶體的DS32X35內部框圖。
4.2 地址要求
串行FRAM存儲器提供2 048×8位或8 192×8位存儲器陣列，通過I2C接口訪問。由于陣列配置不同，不同版本的DS32X35的I2C尋址技術也有所差異。表2詳細說明了不同版本DS32X35的尋址要求。
