瑞銀證券（UBS）昨（11）日研究報(bào)告指出，今年記憶體市況相當(dāng)不錯(cuò)，DRAM未來供給仍相當(dāng)吃緊，看好力晶（5346）及南科（2408）營運(yùn)，調(diào)升兩家業(yè)者評(píng)等，各由“中立”及“減碼”，同步調(diào)為“買進(jìn)”。
      瑞銀證指出，由于利基型記憶體、Nand Flash、CMOS影像感測(cè)器等晶片排擠既有標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)能，加上業(yè)者將制成提升至90奈米時(shí)，面臨良率挑戰(zhàn)，下半年P(guān)C端DRAM供給緊俏情形將持續(xù)。
      需求端方面，超微（AMD）支援DDRII的晶片組6月將問世，返校潮將使得DRAM的供給在下半年更趨于緊俏，加上明年有Window Vista帶動(dòng)需求，整體市場(chǎng)需求相當(dāng)暢旺。
      在供給不足，市場(chǎng)需求強(qiáng)勁下，瑞銀認(rèn)為DRAM產(chǎn)品平均受價(jià)（ASP）將相對(duì)較強(qiáng)，相較于過去歷史經(jīng)驗(yàn)產(chǎn)品平均售價(jià)以35% 的幅度下跌，今、明兩年DRAM跌價(jià)幅度各為26%及21%。
      瑞銀證預(yù)估，今年全球DRAM市場(chǎng)產(chǎn)值將達(dá)294億美元，較原預(yù)估增加15%。
      力晶昨上漲0.35元，收23.15元。瑞銀證認(rèn)為，力晶在擁有強(qiáng)大12寸廠產(chǎn)能支援下，業(yè)績將具成長力道，因此除調(diào)高評(píng)等外，也將目標(biāo)價(jià)由19.5元調(diào)高至30元，并將今、明兩年每股純益預(yù)估值由原1.37元及1.57元，調(diào)升至3.01元及3.71元。
      南科則擁有DDRII合約市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)，加上華亞科產(chǎn)能支援，營運(yùn)也將同步走俏，預(yù)估今、明兩年每股純益各為2.87元、3.65元，目標(biāo)價(jià)從18元調(diào)升至27元。
      南科昨收盤價(jià)21.6元，上漲0.4元。