根據(jù)EE Times報導，NOR快閃記憶體市場近年受到NAND的強烈沖擊，這個領(lǐng)域的供應(yīng)商也從善如流，修正了它們的策略。NOR flash過去多年強力主宰了行動電話的記憶體應(yīng)用，用于code儲存與其他用途，但近年在這個市場面臨來自NAND的強力競爭；比較新穎而多功能的手機，現(xiàn)在利用更多NAND flash進行資料儲存。NAND元件比NOR更具有成本效益，而且更適合高密度應(yīng)用。根據(jù)iSuppli的資料，在2005年度生產(chǎn)的手機中，有9000萬臺加入NAND記憶體作為資料儲存，大約占有去年度出貨量的10%；該公司預(yù)測到了2010年度將有6億5000萬臺手機具備NAND，占有整體出貨量的60%。
      NOR領(lǐng)域的前三大供應(yīng)商Intel、Spansion與STMicroelectronics，之前針對NAND的挑戰(zhàn)提供新的解決方案來保有NOR在手機領(lǐng)域的主宰地位；這些解決方案主要是將NOR結(jié)合其他型態(tài)的記憶體，包括SRAM、pSRAM(pseudo SRAM)與SDRAM，以提供完整的code與資料儲存記憶體次系統(tǒng)。不過這樣的作法并不奏效，隨著NAND持續(xù)攻城掠地，現(xiàn)在Intel、Spansion與STMicroelectronics已經(jīng)明白它們?nèi)绻掷m(xù)在手機市場保有競爭地位，則必須提供每位元成本比NOR更低的資料儲存產(chǎn)品。有鑒于此，這三家供應(yīng)商都已經(jīng)改變策略，提供NAND或其他非NOR產(chǎn)品，但它們必須面對NAND領(lǐng)域前三大供應(yīng)商的強力競爭，它們是Samsung Electronics、Hynix Semiconductor與Toshiba，這三大供應(yīng)商占有2005年度NAND市場產(chǎn)值的88%。
      iSuppli估計手機所采用的任何型態(tài)記憶體在2005年度的產(chǎn)值為43億美元，預(yù)測到了2010年度將成長至76億美元，規(guī)模非常龐大，值得各方英雄好漢加入爭奪。Intel與STMicroelectronics采取的策略，是與其他記憶體供應(yīng)商結(jié)盟，以求迅速攻占NAND市場。例如，Intel與Micron Technology合作成立IM Flash Technologies公司，并且在今年季開始少量出貨來自于IM Flash的NAND元件。Micron在2005年度中總共出貨了2億3800萬美元的NAND，IM Flash可望協(xié)助Micron在2006年度成為更重要的NAND供應(yīng)商。Intel與Micron的結(jié)盟，將會明顯擴大這兩家公司今年度NAND的營收，它們在2007年度的影響將更鉅大，因為從今年下半年開始，它們將采用Intel的MLC(Multi-Level-Cell) flash技術(shù)于NAND上。
      至于STMicroelectronics，該公司是透過與Hynix的制造協(xié)議而擴大在NAND領(lǐng)域的力量。雙方系在一年多前開始合作，STMicroelectronics在2005年度出貨了2億1400萬美元的NAND元件，今年更可望有明顯的增加。Intel與STMicroelectronics這些作法，不但可以加強它們在手機市場的競爭地位，更可讓它們進入消費性電子與運算這些規(guī)模大了許多的新市場。
      至于Spansion，該公司將NOR/two-bit-per-cell MirrorBit技術(shù)重新發(fā)展為ORNAND產(chǎn)品，結(jié)合一個類似NAND介面與一個NOR記憶體架構(gòu)。雖然表面上看來，這樣的作法比較奇特，因為它還是一個比較偏向于NOR的產(chǎn)品，但是MirrorBit產(chǎn)品頗受手機制造商的青睞。而且MirrorBit未來也許能在每個transistor gate中儲存四個位元，使ORNAND更適合作為資料儲存的解決方案。這三大NOR供應(yīng)商未來在NAND領(lǐng)域的發(fā)展，值得密切關(guān)注。