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      Renesas發(fā)布高性能硅鍺MMIC

      更新時(shí)間: 2006-04-27 08:45:35來源: 粵嵌教育瀏覽量:1005

      瑞薩科技公司(Renesas)今天宣布,推出一種用于無線局域網(wǎng)(LAN)終端發(fā)射功率放大器的高性能2.4GHz/5GHz雙模硅鍺(SiGe)MMIC*1 HA31010。樣品將于2006年6月從日本開始供貨。

      HA31010的主要特性如下。

      (1)    2.4GHz/5GHz雙模操作
      在一個(gè)單芯片中集成了一個(gè)支持IEEE802.11b/g*2無線局域網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)的2.4GHz頻帶放大器電路,以及一個(gè)支持IEEE802.11a*2標(biāo)準(zhǔn)的5GHz頻帶放大器電路,以提供雙模操作。與使用兩個(gè)分立的2.4GHz和5GHz的瑞薩硅鍺MMIC相比,它可以使安裝面積%減少大約40%。

      (2)    高增益和低電流耗散
      HA31010可實(shí)現(xiàn)硅鍺MMIC的高增益及業(yè)界的電流耗散水平,在使用2.4GHz頻帶時(shí),其功率增益為28dB,電流耗散為130mA;在使用5GHz頻帶時(shí),其功率增益為24dB,電流耗散為160mA。

      (3)    片上切換電路
      利用易于實(shí)現(xiàn)的硅鍺CMOS工藝*3將一個(gè)采用MOSFET的切換電路集成到HA31010 中。這有助于放大器電路在2.4GHz/5GHz頻帶之間的切換,并進(jìn)行傳輸和接收切換,而無需增加一個(gè)外部切換器件。此外,其待機(jī)電流非常低,在0.1μA以下,這是其降低功耗的關(guān)鍵。

      (4)    片上輸出功率檢測器電路
      為了有效地達(dá)到無線局域網(wǎng)設(shè)備的低功耗要求,就需要一種可實(shí)現(xiàn)通信所需小輸出功率的自動(dòng)輸出功率控制功能。HA31010集成了一個(gè)作為實(shí)現(xiàn)該功能傳感器的輸出功率檢測器電路,有效地減少了元件數(shù)目,同時(shí)也縮小了占板面積更。

      近幾年,隨著集成了無線局域網(wǎng)功能的筆記本電腦、便攜式游戲機(jī)和數(shù)字視聽設(shè)備的迅速增長,隨時(shí)隨地的高速無線通信已成為了現(xiàn)實(shí)。當(dāng)通信速率和數(shù)據(jù)量增加時(shí),支持雙頻帶――2.4GHz(IEEE802.11b和IEEE802.11g),以及和5GHz(IEEE802.11a)――的雙模與三模(IEEE802.11a與b與)系統(tǒng)已成為無線局域網(wǎng)終端的主流。同時(shí),IEEE在2006年1月批準(zhǔn)了IEEE802.11n*2下一代高速無線局域網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)草案規(guī)范,其特征是可能引入MIMO*4技術(shù),以改善使用多天線的通信速率。因此,對(duì)以更小的安裝面積和更低電流耗散提供雙頻帶能力功率放大器MMIC的需求開始出現(xiàn),旨在實(shí)現(xiàn)更小、更低功耗的無線局域網(wǎng)終端發(fā)射器。

      2005年,瑞薩科技利用一個(gè)硅鍺MMIC系列進(jìn)入了無線局域網(wǎng)市場。當(dāng)時(shí)發(fā)布的HA31005 5GHz頻帶功率放大器MMIC系列具有高度集成、低價(jià)格和高性能的特點(diǎn)。現(xiàn)在,為了滿足上述需求,瑞薩科技又發(fā)布了HA31010功率放大器MMIC,以提供更高的性能和2.4GHz/5GHz的雙模操作。

      <其他產(chǎn)品信息>
      (1)    HA31010的特性
      ·    2.4GHz頻帶和5GHz頻帶放大器電路以平行的方式集成在一個(gè)單個(gè)芯片中,可提供一種緊湊外形的2.4GHz/5GHz雙模產(chǎn)品。
      ·    采用一種超精細(xì)硅鍺CMOS工藝實(shí)現(xiàn)了高度集成,可對(duì)晶體管形成和電路布局進(jìn)行優(yōu)化,以減少可導(dǎo)致高頻特性下降的寄生電容和寄生感應(yīng)*5。這使之可以在2.4GHz時(shí)實(shí)現(xiàn)28dB的功率增益,4%的EVM*6的79mW(+19dBm)輸出功率,以及130mA(使用3.3V電源電壓)的電流耗散;在5.2GHz時(shí),功率增益為24dB,4%的EVM的輸出功率為63mW(+18dBm),電流耗散為160mA(使用3.3V電源電壓)。
      ·    一個(gè)采用MOSFET的片上切換電路可以實(shí)現(xiàn)雙頻帶放大器電路通/斷控制,并簡化頻帶切換和發(fā)送/接收切換的設(shè)計(jì)。
      ·    封裝采用小型表面貼裝的24引腳WQFN0404(瑞薩封裝代碼),尺寸為4.0mm×4.0mm×0.8mm。

      (2)    完全無鉛封裝
      ·    HA31010采用導(dǎo)電銀漿材料以改善集成電路芯片裸片焊接的可靠性和傳導(dǎo)率;此外,封裝電極鍍層采用了Sn-Bi(錫鉍),以實(shí)現(xiàn)完全的無鉛封裝。


       

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