模組廠商表示，繼茂德因制程轉換導致影響生產，傳聞力晶也是70納米制程轉換不順，導致有效測試（eTT）芯片的供貨銳減，并造成DDR2價格突然大漲。大多數模組廠商都沒有在端午節前回補庫存，假期過后只能眼看著價格不斷攀高。而在臺系廠商制程轉換不順以及DRAM現貨價格水漲船高的影響下，21日帶動了三星電子（Samsung Electronics）、海力士（Hynix）等國際DRAM廠商股價響起一片漲聲。 　　
       模組廠商則表示，臺系DRAM廠商在轉換制程至70納米時，陸續出現生產不順的問題，繼日前茂德因轉進70納米制程速度過快，導致生產不順，力晶也傳出因70納米制程轉換過程有問題的消息，導致eTT芯片供貨銳減，是近兩天價格大漲的元兇。對此，力晶發言人譚仲民表示，力晶70納米制程相當順利，沒有市場傳聞所說到的問題。 　　
       內部人士指出，盡管力晶在70納米制程轉換時出現了問題，但其實受影響的只有幾百片，該數量不但對力晶而言微不足道，更不足以左右現貨市場的供需關系，真正影響市場供貨量的主因是力晶的母公司爾必達（Elpida）近期臨時向其增加了進貨數量，使得力晶轉售到現貨市場DRAM貨源減少。 　　
       無論真正原因為何，近期DRAM廠商不愿出貨的態度明顯，尤其現正值自結半年財報的時間點，多數DRAM廠商為彌補4、5月DRAM價格不佳、第二季度財報成績不好，加上看準第三季度PC產業傳統旺季即將來臨，對于價格可以說是鐵了心要漲價，在供給端的主導下，使得近兩天eTT芯片出現大漲。 　　
       不過，由于這波DRAM價格反彈過于迅速，加上突然出現在端午節連假過后，讓許多模組廠商感到措手不及，原來業界預計DRAM價格會到6月底才觸底反彈，如今卻提前發動漲勢，讓不少模組廠商與端午前假前的位失之交臂，錯失了回補庫存的好時機，現在只能眼睜睜看著價格上揚。 　　
       值得注意的是，部分模組廠商透露，其實在6月中旬DRAM價格低點時，已有全球規模相當龐大的模組廠商，看準了當時DRAM價格已是點，加上傳統旺季即將來臨，紛紛向原廠提出包下大部分產能的計劃，但當時大部分DRAM廠商都認為價格不佳，不想賠本售出，因而拒絕了大型模組廠商的提議。由此可知，DRAM廠在經歷近半年低潮期后，這次是鐵了心要漲價。 　　
       此外，受到臺廠制程轉換不順及DRAM現貨價格大漲影響，國際DRAM廠商股價全數走高。全球大內存制造廠商三星電子21日股價上漲2.1%，韓國第二大內存廠商海力士股價大幅躍升7.3%；日本廠商爾必達終盤則大漲4.4%，東芝（Toshiba）盤中股價也上漲了2.04%。 　　
       韓國Dongbu Securities分析師表示，DRAM價格上揚主要是受到臺系廠商面臨70納米制程問題所致，業者生產面臨難題，意味著供給增長將趨緩，有助于市場價格的回升。現代證券（Hyundai Securities）分析師也認為，就DRAM廠盈利的表現來說，近期漲價確實是一個好消息。