DRAM市況相對(duì)穩(wěn)定，使得力晶五月份營(yíng)收再遞創(chuàng)歷史新高記錄，加上12寸晶圓量產(chǎn)效應(yīng)持續(xù)發(fā)酵，力晶說(shuō) 六月份還會(huì)有新表現(xiàn)，訂單能見(jiàn)度已看到今年底。 
      繼取得日本瑞薩半導(dǎo)體4GB的快閃記憶體授權(quán)，力晶擴(kuò)張勢(shì)力版圖動(dòng)作更積極，五月份營(yíng)收如市場(chǎng)預(yù)期創(chuàng)下63億元的新記錄后，力晶再預(yù)言六月份表現(xiàn)還會(huì)再刷新記錄， NANDFLASH落后1-2個(gè)世代產(chǎn)能完全爆炸到年底前已無(wú)多余產(chǎn)能 2008年就會(huì)趕上 力晶指出，快閃記憶體一開(kāi)始就以90奈米制程投片，目前每月產(chǎn)能五千片，第三季后，每月再新增3-5000片擴(kuò)產(chǎn)，到年底前就會(huì)達(dá)到二萬(wàn)片規(guī)模，占總產(chǎn)能的五分之一，丁振鐸說(shuō)，快閃記憶體價(jià)格已經(jīng)開(kāi)始調(diào)漲，預(yù)估會(huì)重新啟動(dòng)DRAM排擠效應(yīng)，DRAM下半年看好，第三季還有可能缺貨，在整個(gè)DRAM的技術(shù)臺(tái)灣廠商是非常有機(jī)會(huì)以12寸晶圓投產(chǎn)是所有廠商一致的共識(shí) 力晶表示，DRAM從今年到2008年全球總產(chǎn)出，將會(huì)是以13.8%、7.1%、和8.9%的成長(zhǎng)幅度增加，到2009全球DRAM就會(huì)發(fā)生缺貨，因此價(jià)格從今年起會(huì)穩(wěn)定向上，另外，臺(tái)灣各DRAM廠集中以12寸晶圓投產(chǎn)效應(yīng)，在2008年市占率就會(huì)超過(guò)韓國(guó)廠商。