【賽迪網訊】4月15日消息，IBM及其聯合開發合作伙伴三星電子和東芝等公司本周一宣布稱，2009年的芯片速度將更快，但是，溫度不會更熱。

　　這個IBM聯盟將使用“高K-金屬柵極”技術實現這個目標。英特爾目前在其45納米處理器中也在使用這個技術。這個聯盟稱，在同樣的工作電壓或者電源水平下，他們的芯片性能將比45納米芯片高35%。

　　這個技術將使包括三星、東芝和飛思卡爾半導體在內的聯盟生產出功能更強大、散熱量更小的芯片。這對于手機等小型設備以及使用大量服務器的數據中心來說都是一個重要的進步。據IBM稱，根據工作電壓的不同，這種新的芯片的耗電量將比45納米芯片減少30%至50%。

　　這個消息是一項技術的進展而不是一種技術突破的成就。去年年初，IBM宣布了這項技術，就是在下一代32納米計算機芯片中采用“高K-金屬柵極”技術。

　　“柵”是一個數字電路的基本構件，而“高K-金屬”是使用的材料。隨著晶體管的縮小，漏電情況會增加。對于芯片廠商來說，限度減少漏電是非常重要的。“高K-金屬柵極”正是在這方面發揮重要作用。

　　IBM稱，雖然使用這種技術的芯片設計過程現在可以開始了，但是，這個技術將在2009年下半年向聯盟的合作伙伴提供。由于技術的原因，AMD不是這個聯盟的成員。AMD是名為SOI的另一個聯盟的成員。