在當前財報訊息錯綜復雜的情況下，南韓電子大廠 Samsung Electronics Co.(005930-KR)計劃以增加資本 支出1.4兆韓元(10.89億美元)的方式，擴充記憶體晶片 產能，顯示出其對本身業務的前景充滿高度信心。然而 分析師卻提出警告，此舉恐加遽晶片產能過剩的情形。
       Lazard Capital Markets分析師 Daniel Amir表示 ：“ Samsung計劃提高DRAM與NAND兩大生產線的產能。 乍看之下， Samsung產能的擴充是市場需求強勁的自然 反應，但實際上此舉卻相當不利于整個記憶體晶片市場 。”Amir說：“ Samsung習慣以增產的方式來壓低價格 ，進而達到擴大市占率的目的，在規模經濟下，其策略 可謂屢試不爽，百發而百中。”
       Needham & Co. LLC 分析師 Edwin Mok認為：“以 目前態勢來看，NAND產能恐過剩的窘境將延續到明年。 ”
       日本Toshiba Corp.(6502-JP)指出，12月之前的 NAND皆已銷售一空。事實上，雖然市場對NAND的需求十 分強勁，但價格卻十分低迷。
       Mok 說：“我們認為，NAND在第 3季供給緊繃的情 況將在第 4季逐漸獲得紓解，在此基調下，NAND第 4季 及明年上半年的價格恐挫低25-40%。”
       Samsung 在10月12日公布，今年第 3季(截至9月30 日) 的營收打破歷史記錄，總額達 16.68兆韓元(182億 美元) ，與去年同期相比增幅為 10%，與上季相比增幅 為 14%。營業利潤達2.74兆韓元(29.8億美元)，與第 2 季相比增幅為93%。
       Samsung 表示：“NAND型快閃記憶體的價格在第 3 季持續走強，51奈米NAND型快閃晶片的推出，降低了 Samsung 的經營成本，讓獲利得以維持在高水位。”
       Amir說：“時序進入第 4季， Samsung依然對前景 充滿信心，第 3季結束之際，51奈米NAND型快閃記憶體 的產能利用率僅達15%，Samsung預計在年底前調高至 30%。”