聯(lián)電布局記憶體領域，找上日本記憶體廠爾必達（Elpida），兩家公司昨（22）日共同宣布，將進行交互授權，由爾必達提供未來聯(lián)電發(fā)展系統(tǒng)單晶片（SOC）所需的DRAM技術；聯(lián)電則提供爾必達發(fā)展先進制程所需的低介電質銅導線（low-k／copper）專利。聯(lián)電成為繼力晶后，爾必達在臺灣的另一重要合作伙伴。
       業(yè)界指出，目前標準型記憶體并不需要使用低介電質銅導線技術，但未來邁入45奈米以下制程后，則會開始用到。由于力晶與爾必達乃共同開發(fā)技術，爾必達取得聯(lián)電相關授權后，力晶也將受惠，且透過晶圓代工廠與DRAM廠交互授權的模式，也是記憶體業(yè)界的一大創(chuàng)舉。
       力晶表示，爾必達在與聯(lián)電談洽談合作時，便已知會力晶，未來力晶、爾必達透過聯(lián)電的專利授權，對于DRAM先進制程研發(fā)將有相當助益。
       這也是聯(lián)電董事長胡國強對外宣布“聯(lián)電對記憶體事業(yè)相當有興趣”后，揭露與國際大廠的合作計畫，爾必達現(xiàn)階段是力晶在標準型記憶體產能及技術的合作伙伴。
       業(yè)界認為，聯(lián)電與爾必達合作，讓爾必達邁入奈米世代，線寬愈來愈窄化后，擁有加快電流速度的低介電質銅導線關鍵技術，對于技術提升將如虎添翼。目前銅制程相關技術僅有臺積電、聯(lián)電等晶圓代工大廠擁有。
       聯(lián)電表示，此次與爾必達針對先進DRAM發(fā)展合作，共同進行低介電質銅導線的DRAM和PRAM（相位變化隨機存取記憶體）技術研發(fā)；未來聯(lián)電將獲采用爾必達的DRAM技術，作為先進系統(tǒng)單晶片解決方案的一部分。
       聯(lián)電營運長孫世偉表示，爾必達是全球DRAM技術領導廠商，聯(lián)電希望透過此次合作，將更的嵌入式系統(tǒng)單晶片解決方案提供給晶圓代工客戶。在編排部分，爾必達與聯(lián)電將合作研發(fā)PRAM技術，結合爾必達在硫族化合物（GST）材料的專業(yè)知識、及聯(lián)電在CMOS邏輯制程的高效能表現(xiàn)。
       除了聯(lián)電，臺積電也已積極投入嵌入式DRAM（E-DRAM）技術開發(fā)，據了解，目前已進展到65奈米制程，并采取自主開發(fā)模式。