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      快閃記憶體產能可望在2008年超越DRAM

      更新時間: 2008-01-17 13:11:22來源: 粵嵌教育瀏覽量:500

             市場研究公司Strategic Marketing Associates (SMA)預測,快閃記憶體產能將在2008年超越DRAM記憶體。根據SMA報告,快閃記憶體產能從2000年以來已經成長了四倍,達到相當于290萬片8寸矽晶圓的規模,相較之下DRAM產能自那時起僅成長225%。
             SMA的報告指出,從2005年到2008年底的三年間,快閃記憶體制造商增加的產能是之前四年增加量的六倍;預計2008年和2009年,將還有超過10座的晶圓廠上線。SMA估計,當這些工廠設備全開,將帶來每月相當于150萬片8寸矽晶圓的產能。
             SMA總裁George Burns表示:“東芝(Toshiba)與SanDisk的合資公司和三星(Samsung),將是推動快閃記憶體產能成長的主力;前者近大幅增加產能,已超越三星、Hynix和IMFlash的合并產能增加量。”
             東芝與SanDisk的合資公司包括Flash Vision、Flash Partners和Flash Alliance。其中Flash Alliance的Fab 4晶圓廠剛開始進行晶圓處理,當設備完成裝機,每月產能將達到21萬片12寸晶圓。
             Burns指出:“該廠將成為全球的晶圓廠,產能相當于50萬片8寸矽晶圓。”

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