聯(lián)電布局記憶體領(lǐng)域，找上日本記憶體廠爾必達(dá)（Elpida），兩家公司昨（22）日共同宣布，將進(jìn)行交互授權(quán)，由爾必達(dá)提供未來聯(lián)電發(fā)展系統(tǒng)單晶片（SOC）所需的DRAM技術(shù)；聯(lián)電則提供爾必達(dá)發(fā)展先進(jìn)制程所需的低介電質(zhì)銅導(dǎo)線（low-k／copper）專利。聯(lián)電成為繼力晶后，爾必達(dá)在臺灣的另一重要合作伙伴。
       業(yè)界指出，目前標(biāo)準(zhǔn)型記憶體并不需要使用低介電質(zhì)銅導(dǎo)線技術(shù)，但未來邁入45奈米以下制程后，則會(huì)開始用到。由于力晶與爾必達(dá)乃共同開發(fā)技術(shù)，爾必達(dá)取得聯(lián)電相關(guān)授權(quán)后，力晶也將受惠，且透過晶圓代工廠與DRAM廠交互授權(quán)的模式，也是記憶體業(yè)界的一大創(chuàng)舉。
       力晶表示，爾必達(dá)在與聯(lián)電談洽談合作時(shí)，便已知會(huì)力晶，未來力晶、爾必達(dá)透過聯(lián)電的專利授權(quán)，對于DRAM先進(jìn)制程研發(fā)將有相當(dāng)助益。
       這也是聯(lián)電董事長胡國強(qiáng)對外宣布“聯(lián)電對記憶體事業(yè)相當(dāng)有興趣”后，揭露與國際大廠的合作計(jì)畫，爾必達(dá)現(xiàn)階段是力晶在標(biāo)準(zhǔn)型記憶體產(chǎn)能及技術(shù)的合作伙伴。
       業(yè)界認(rèn)為，聯(lián)電與爾必達(dá)合作，讓爾必達(dá)邁入奈米世代，線寬愈來愈窄化后，擁有加快電流速度的低介電質(zhì)銅導(dǎo)線關(guān)鍵技術(shù)，對于技術(shù)提升將如虎添翼。目前銅制程相關(guān)技術(shù)僅有臺積電、聯(lián)電等晶圓代工大廠擁有。
       聯(lián)電表示，此次與爾必達(dá)針對先進(jìn)DRAM發(fā)展合作，共同進(jìn)行低介電質(zhì)銅導(dǎo)線的DRAM和PRAM（相位變化隨機(jī)存取記憶體）技術(shù)研發(fā)；未來聯(lián)電將獲采用爾必達(dá)的DRAM技術(shù)，作為先進(jìn)系統(tǒng)單晶片解決方案的一部分。
       聯(lián)電營運(yùn)長孫世偉表示，爾必達(dá)是全球DRAM技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)廠商，聯(lián)電希望透過此次合作，將更的嵌入式系統(tǒng)單晶片解決方案提供給晶圓代工客戶。在編排部分，爾必達(dá)與聯(lián)電將合作研發(fā)PRAM技術(shù)，結(jié)合爾必達(dá)在硫族化合物（GST）材料的專業(yè)知識、及聯(lián)電在CMOS邏輯制程的高效能表現(xiàn)。
       除了聯(lián)電，臺積電也已積極投入嵌入式DRAM（E-DRAM）技術(shù)開發(fā)，據(jù)了解，目前已進(jìn)展到65奈米制程，并采取自主開發(fā)模式。