美國司法部正著手調查2007年第2、3季NAND型快閃記憶體(Flash)漲價一事，是否為聯手拉抬價格，涵蓋美、日、韓、臺等24家業者因涉嫌操縱NAND Flash價格，在美國遭到集體控告，不僅三星電子(Samsung Electronics)、新帝(SanDisk)相繼表示已接獲傳票，更令業界意外的是，臺廠華邦電及茂矽亦同列被告，由于該2家臺廠并未生產NAND Flash卻列被告，令業界相當不解。
       根據國際媒體報導，這次美國司法部所調查NAND Flash價格聯合壟斷案，共有24家相關業者被列為調查對象，除新帝、三星、東芝(Toshiba)3家主要NAND Flash制造商外，還包括海力士(Hynix)、美光(Micron)、瑞薩(Renesas)、意法半導體(STMicroelectronics)等，而多家廠商亦開始配合司法部調查當中。
       茂矽發言人周崇勛表示，公司沒有收到類似文件，對此事正在了解當中，但茂矽從未生產過NAND Flash晶片，即使是NOR Flash晶片，也早已停止生產，因此，會被控告聯合壟斷NAND Flash價格，其實不太合理；華邦電亦表示，并未生產NAND Flash晶片，此事與華邦電無關。
       事實上，在2007年第2季NAND Flash價格大漲前，該產業已經歷超過1年的景氣低迷期，NAND Flash跌價情況一度逼近上游制造廠成本區域，直到3月初蘋果(Apple)開始增加NAND Flash下單量，NAND Flash合約及現貨價才開始逐步回升。
       記憶體業者表示，由于記憶體價格波動劇烈且敏感，往往在短時間內出現大漲或大跌，因此，記憶體大廠很容易身陷聯合操作價格陰霾中，像是過去DRAM價格便常常會出現超漲或超跌情況，價格變化究竟是人為操作或是業界共識，其實很難判定，當中的分寸拿捏很敏感。
       過去在記憶體產業知名的一次價格壟斷案，即是美國司法部控告DRAM廠商于1999~2002年期間，聯手操縱DRAM價格一事，被控有違公平競爭原則，不僅間接造成戴爾(Dell)、惠普(HP)、蘋果等PC大廠商業損失，在2006年包括三星、海力士等DRAM大廠出面承認操作價格，且不少高層入獄服刑，當時震撼整個記憶體產業。